Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Методом спектроскопии адмиттанса определены сечения захвата и энергетические уровни дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что в слоях квантовых точек, полученных при низкой температуре роста Tg≤450oC, сечение захвата дырок в квантовые точки экспоненциально растет с увеличением энергии связи дырок (правило Мейера-Нельделя) с одинаковой, не зависящей от Tg характерной энергией ~25 мэВ. Показано, что правило Мейера-Нельделя нарушается в структурах, выращенных при более высоких температурах, а также в образцах, подвергнутых обработкам в водородной плазме. Для нанокластеров, синтезированных при низких температурах, полученные экспериментальные результаты свидетельствуют об электрон-фононном механизме захвата носителей заряда в квантовые точки Ge с участием структурных дефектов.
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Петербургский ин-т ядерной физики РАН, 1979)
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004)
- D.L. Losse. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
- V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter,17, 2435 (2005)
- Th. Asperger, Ch. Miesner, K. Bruner, G. Abstreiter. Phys. Status Solidi b, 224, 237 (2001)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- K. Dmowski, B. Lepley, E. Losson, M.El. Bouabdellati. J. Appl. Phys., 74, 3936 (1974)
- C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
- H.L. Wang, F.H. Yang, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X.D. Wang. Phys. Rev. B, 61, 5530 (2000)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, ч. 2, гл. 2, с. 86
- W. Meyer, H. Neldel. Z. Tech. Phys., B12, 588 (1937)
- R.S.Crandall. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
- G. Boiswert, L. Lewis, A. Yelon. Phys. Rev. Lett., 75, 469 (1995)
- W. Jakson. Phys. Rev. B, 38, 3595 (1988)
- K.L. Narashiman, B.M. Arota. Sol. St. Commun., 55, 615 (1985)
- T.J. Coutts, N.M. Pearsall. Appl. Phys. Lett., 44, 134 (1984)
- Y.F. Cheng, S.F. Huang. Phys. Rev. B, 44, 13 775 (1991)
- A. Yelon, B. Movaghar. Phys. Rev. Lett., 65, 618 (1990)
- A. Yelon, B. Movaghar, H.M. Brantz. Phys. Rev. B, 46, 12 244 (1992)
- I. Buyanova, W. Chen, G. Pozina et al. Appl. Phys. Lett., 71, 3676 (1997)
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii et al. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
- J.L. Benton, C.J. Doherty, S.D. Ferris et al. Appl. Phys. Lett., 36, 670 (1980)
- Y. Park, J. Lu, G. Rozgoni. Appl. Phys. Lett., 105, 014 912 (2009)
- J.I. Pankove, R.O. Wance, J.E. Berkenheizer. Appl. Phys. Lett., 45, 110 (1984)
- N.M. Jonson, C. Herring, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 56, 769 (1986)
- N.M.Jonson. Phys. Rev. B, 31, 5525 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
