Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективные гамильтонианы для гетероструктур на основе прямозонных полупроводников A^IIIB^V. Kp-теория возмущения и метод инвариантов

Глинский Г.Ф.¹, Миронова М.С.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предлагается последовательная процедура получения эффективных k-0.4ptp-гамильтонианов для произвольных гетероструктур на основе прямозонных полупроводников с одинаковыми параметрами решеток. Потенциал гетероструктуры описывается с помощью характеристических функций f_l( a), указывающих на замещение атомов опорного кристалла в подрешетке l в элементарной ячейке a. Развивается k-0.4ptp-теория возмущения для гетероструктур, учитывающая эффекты рассеяния носителей заряда на дополнительном локальном потенциале, возникающем в результате замещения атомов. Предлагается способ построения соответствующих эффективных k-0.4ptp-гамильтонианов методом инвариантов, который учитывает микроскопическую симметрию интерфейсов. Полученные гамильтонианы наряду с зонными параметрами содержат дополнительные параметры, не имеющие аналогов в объемных материалах. В качестве примера дается вывод эффективных гамильтонианов зон Gamma₁, Gamma₆, Gamma₁₅ и Gamma₈ в гетероструктурах на основе кубических полупроводников A^IIIB^V с замещением атомов в одной подрешетке.

O. von Roos. Phys. Rev. B, 27, 7547 (1983)
B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 76, 045 327 (2007)
B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 48, 4964 (1993)
A.V. Rodina, A.Yu. Alekseev, Al.L. Efros, M. Rosen, B.K. Meyer. Phys. Rev. B, 65, 125 302 (2002)
A.V. Rodina, A.Yu. Alekseev. Phys. Rev. B, 73, 115 312 (2006)
E.L. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rossler. Phys. Rev. B, 54, 5852 (1996)
H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
Y. Fu, M. Willander, E.L. Ivchenko, A.A. Kiselev. Phys. Rev. B, 47, 13 498 (1993)
G.F. Glinskii, V.A. Lakisov, A.G. Dolmatov, K.O. Kravchenko. Nanotechnology, 11, 233 (2000)
L. Leibler. Phys. Rev. B, 12, 4443 (1975)
L. Leibler. Phys. Rev. B, 16, 863 (1977)
M.G. Burt. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 6651 (1992)
E.E. Takhtamirov, V.A. Volkov. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 407 (1995)
E.E. Takhtamirov, V.A. Volkov. Semicond. Sci. Technol., 12, 77 (1997)
Э.Е. Тахтамиров, В.А. Волков. УФН, 167, 1123 (1997)
Г.Ф. Глинский, К.О. Кравченко. ФТТ, 40, 872 (1998)
G.F. Glinskii, K.O. Kravchenko. cond-mat/9808174 (unpublished)
Э.Е. Тахтамиров, В.А. Волков. ЖЭТФ, 116, 1843 (1999)
Г.Ф. Глинский, К.О. Кравченко. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 20 (1999)
Г.Ф. Глинский, В.А. Лакисов. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 5 (2000)
А.Г. Долматов, Г.Ф. Глинский. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 10 (2000)
B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 72, 165 344 (2005)
B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 72, 165 345 (2005)
Г.Ф. Глинский. В кн.: Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы, под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова (М., Физматлит, 2006) с. 16
Г.Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые гетероструктуры: симметрия и электронные состояния (СПб., Технолит, 2008)
E. Takhtamirov, R.V.N. Melnik. New J. Phys., 12, 123 006 (2010)
P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 81, 235 314 (2010)
L.J. Sham. Phys. Rev., 150, 720 (1966)
Г.Ф. Глинский, М.С. Миронова. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 2, 8 (2013)
G.F. Glinskii, M.S. Mironova. J. Phys.: Conf. Ser., 461, 012 040 (2013)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
Г.Ф. Глинский. Методы теории групп в квантовой механике (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012)
А.И. Шпаковский, Г.Ф. Глинский. Науч.-техн. вед. СПбГПУ, N 3, 56 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель