Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом

Биленко Д.И.¹, Галушка В.В.¹, Жаркова Э.А.¹, Мысенко И.Б.¹, Терин Д.В.¹, Хасина Е.И.¹

¹Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Поступила в редакцию: 9 января 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом (SiMP : Fe). Показано, что эти свойства зависят от концентрации железа неоднозначно. В случае образца с токами, ограниченными пространственным зарядом (ТОПЗ), при освещении происходит изменение механизма токопереноса в гетероструктуре Al-SiMP : Fe-p-Si-Al от ТОПЗ в темноте к барьерному типу при освещении. Пассивация железом концентрацией 0.1-0.2 ат% стабилизирует не только электрофизические, но и фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур. Дальнейшее увеличение концентрации Fe приводит к образованию новых ловушек, вызванных появлением окислов железа и кремния, что приводит к нестабильности свойств. Структуры в области малой освещенности имеют высокую фоточувствительность. Напряжение открытой цепи составляет 16 мВ при мощности излучения АМ-1 ~2 мВт/см².

Н.В. Соцкая, О.В. Долгих, В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, Е.А. Котлярова, С.В. Макаров. Сорбционные и хроматографические процессы, 9, 643 (2009)
Q.W. Chen, X. Li, Y. Zhang. Chem. Phys. Lett., 343, 507 (2001)
M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Luminesc., 128, 1763 (2008)
О.Е. Шевченко, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.Н. Сресели. ФТП, 44, 669 (2010)
Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 45, 984 (2011)
M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, A. Lusson, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Alloys Comp., 485, 422 (2009)
Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 47, 644 (2013)
С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 29, 1517 (1995)
С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 33, 1073 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель