Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора p⁺-Si/нано-SiO₂/n⁺-Si

Карева Г.Г.¹, Векслер М.И.²

¹Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В целях демонстрации расширения функциональных возможностей простейшего конденсатора металл-окисел-полупроводник рассматривается структура с гетеропереходом p⁺-Si/нано-SiO₂, в которой металлический электрод заменен сильно вырожденным n⁺-Si. В результате получается туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором, потенциально превосходящий соответствующий диод Эсаки по своим электрическим характеристикам, управляемым не только уровнем легирования, но и толщиной SiO₂.

Y.-C. Yeo, T.-J. King, C. Hu. IEEE Trans. Electron Dev., ED-50 (4), 1027 (2003)
J.C. Ranuarez, M.J. Deen, C.-H. Chen. Microelectron. Reliab., 46 (12), 1939 (2006)
Г.Г. Карева, М.И. Векслер. ФТП, 47 (8) 1087 (2013)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 9
A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulation (Wien, Springer, 1998) Ch. 5
М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Y.K. Sing, A.D. Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
D. Klaassen, J. Slotboom, H. de Graaff. Sol. St. Electron., 35 (2), 125 (1992)
В.Г. Андросова, В.Н. Банков, А.Н. Дикиджи, В.А. Ильичев, А.Е. Караульник, П.Г. Поздняков, С.В. Рахманинов, И.М. Федотов, В.Н. Христофоров. Справочник по кварцевым резонаторам, под ред. П.Г. Позднякова (М., Связь, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель