Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками

Шабельникова Я.Л.¹, Якимов Е.Б.¹, Николаев Д.П.², Чукалина М.В.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича РАН, Москва, Россия Kharkevich Institute for Information Transmission Problems, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kharkevich Institute for Information Transmission Problems, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 27 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Солнечный элемент на пластине мультикристаллического кремния, содержащего границы зерен, исследовался методом наведенного тока. Было проведено сканирование образца пучком электронов, а также лазерным пучком на двух длинах волн (980 и 635 нм). Зарегистрированные карты наведенного тока были совмещены с помощью специально разработанного кода, что позволило анализировать один и тот же участок границы зерна для трех типов измерений. В результате оптимизации невязки между модельными профилями наведенного тока и экспериментально измеренными были получены количественные оценки характеристик образца и дефекта в нем - диффузионной длины и скорости рекомбинации на границе зерна.

Е.Б. Якимов, В.И. Орлов. Поверхность, N 9, 5 (2014)
Properties of Crystalline Silicon, ed. by R. Hull (London, INSPEC, 1999)
Я.Л. Шабельникова, Е.Б. Якимов, М.В. Григорьев, Р.Р. Фахртдинов, В.А. Бушуев. Письма ЖТФ, 38 (20), 1 (2012)
Я.Л. Шабельникова, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 11, 27 (2012)
С. Donolato. Appl. Phys. Lett., 46 (3), 270 (1985)
С. Donolato. J. Appl. Phys., 54 (3), 1314 (1982)
T. Wilson, E.M. McCabe. J. Appl. Phys., 61 (1), 191 (1988)
U. Werner, F. Koch, G. Oelgart. J. Phys. D: Appl. Phys., 21 (1), 116 (1988)
С. Donolato. Phys. Status Solidi, 65 (2), 649 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель