Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
В работе с использованием модели, основанной на применении метода матриц переноса, рассчитывалось отражение от многослойных покрытий, используемых в составе контактов в AlInGaN-светодиодах. Рассмотрены композиции ITO/SiO2/Ag, в которых пленка ITO состояла из двух слоев с разными значениями показателя преломления. Толщины слоев материала ITO варьировались в заданном диапазоне. Рассчитывались угловые зависимости коэффициента отражения света обеих поляризаций, на основе которых была получена интегральная отражательная способность контакта. Проанализированы зависимости интегральной отражательной способности контакта и коэффициента отражения света при его падении по нормали к плоскости контакта от толщин слоев ITO. В результате предложена оптимизированная конфигурация отражающего контакта к области p-GaN светодиодных кристаллов на основе AlInGaN.
- Huiyong Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur, H. Morko c. Superlat. Microstr., 48, 458 (2010)
- J.K. Kim, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.-Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013 501 (2006)
- J.K. Kim, S. Chhajed, M.F. Schubert, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, J. Cho, H. Kim, C. Sone. Advanced Mater., 20, 801 (2008)
- J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
- Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
- R. Goldhahn, S. Shokhovets, J. Scheiner, G. Gobsch, T.S. Cheng, C.T. Foxon, U. Kaiser, G.D. Kipshidze, W. Richter. Phys. Stat. Solidi A, 177, 107 (2000)
- B. Santic, F. Scholz. Meas. Sci. Technol., 19, 1 (2008)
- F.T. Shum, W.W. So, S.D. Lester. Patent US 7,573,074 B2, Aug. 11, 2009
- H.S. Venugopalan, A. DiCarlo, X. Gao, S. Libon, B.S. Shelton, E. Stefanov, T. Zhang, I. Eliashevich, S.E. Weaver, M. Hsing, B. Kolodin, T. Soules, D. Florescu, S. Guo, M. Pophristic, B. Peres. Proc. SPIE, 4996, 195 (2003)
- M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8,368,100 B2, Feb. 5, 2013
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
- S.A. Smith, C.A. Wolden, M.D. Bremser, A.D. Hanser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997)
- R.J. Shul. In: GaN and Related Materials II, ed. by S.J. Pearton (Gordon and Breach, N. Y., 1998)
- X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
- И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, С.И. Павлов. ФТП, 48, 61 (2014)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко , М.В. Кукушкин, Д.А. Закгейм, С.И. Павлов. ФТП, 48, 1713 (2014)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
