Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Смещение спектров электролюминесценции структур In_xGa_1-xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями

Велещук В.П.¹, Власенко А.И.¹, Киселюк М.П.¹, Власенко З.К.¹, Хмиль Д.Н.¹, Борщ В.В.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Полтавский национальный технический университет им. Юрия Кондратюка, Полтава, Украина

Поступила в редакцию: 25 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

В работе измерено смещение между максимумами спектров электролюминесценции структур In_xGa_1-xN/GaN при прямом и обратном напряжении в зависимости от содержания индия x в квантовой яме и от материала подложки - SiC, AuSn/Si, Al₂O₃. Установлено, что данное смещение увеличивается с ростом концентрации индия в слое In_xGa_1-xN и механических напряжений от подложки.

C. Wood, D. Jena. Polarization Effects in Semiconductors. From Ab Initio Theory to Device Applications (N. Y.-London, Springer, 2008)
Ursula M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys., 98, 073 522 (2005)
L. Guo, X.W. Hongling Xiao, B. Wang. J. Cryst. Growth, 298, 522 (2007)
S. Morawiec, R.P. Sarza a, W. Nakwaski. Appl. Phys. A, 113, 801 (2013)
Е.А. Шевченко, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, А.А. Ситникова, С.В. Иванов, А.А. Торопов. ФТП, 46, 1022 (2012)
H.-S. Chen, Z. H. Liu, P.-Y. Shih, C.-Y. Su, C.-Y. Chen et al. Opt. Express, 22, 8367 (2014)
И.А. Супрядкина, К.К. Абгарян, Д.И. Бажанов, И.В. Мутигуллин. ФТП, 47, 1647 (2013)
Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
M. Meneghini, N. Trivellin, M. Pavesi, M. Manfredi, U. Zehnder, B. Hahn, G. Meneghesso, E. Zanoni. Appl. Phys. Lett., 95, 173 507 (2009)
M. Meneghini, S. Vaccari, N.Trivellin, Z. Dandan, C. Humphreys, R. Butendheich, C. Leirer, B. Hahn, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Electron Dev., 59 (5), 1416 (2012)
А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Э. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
В.П. Велещук, А.И. Власенко, М.П. Киселюк, О.В. Ляшенко. ЖПС, 80 (1), 121 (2013)
V. Haerle, B. Hahn, S. Kaiser, A. Weimar, S. Bader, F. Eberhard, A. Plossl, D. Eisert. Phys. Status Solidi A, 201, 2736 (2004)
M.V. Klymenko, S.I. Petrov, O.V. Shulika. Photoelectron., 19, 125 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель