Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля
Шалимова М.Б.1, Сачук Н.В.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Исследовалась деградация характеристик кремниевых МОП структур с оксидами редкоземельных элементов под влиянием электрических полей (0.1-4) МВ/см в процессе электроформовки. Особенность электроформовки состоит в возможности многократного переключения структур из диэлектрического состояния в низкоомное и обратно. Временные характеристики деградации МОП структур при электроформовке описываются экспоненциальными зависимостями. Вольт-амперные характеристики представляют собой степенной закон в интервале 0.2-3 В, действие электрического поля приводит к изменению распределения энергетической плотности ловушек, ответственных за токи, ограниченные пространственным зарядом. Установлено, что множественные циклы электроформовки приводят к увеличению плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-оксид и изменению энергетического положения уровней ловушек, что ведет к изменению их зарядового состояния.
- P.H. Caplan, E.H. Poindexter, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 50, 5847 (1979)
- G.J. Gerardi, E.H. Poindexter, P.J. Caplan, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 49, 348 (1986)
- D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel. Solid State Commun., 15, 479 (1974)
- S. Ling, A. El-Sayed, F. Lopez-Gejo, M.B. Watkins, V.V. Afanas'ev, A.L. Shluger. Microelectronic Engineering, 109, 310 (2013)
- D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
- В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35, 1041 (2001)
- B.L. Yang, H. Wonga, K. Kakushima, H. Iwai. Microelectronics Reliability, 52, 1613 (2012)
- A.N. Nazarov, Y.V. Gomeniuk, Y.Y. Gomeniuk, H.D.B. Gottlob, M. Schmidt, M.C. Lemme, M. Czernohorsky, H.J. Osten. Microelectronic Engineering, 84, 1968 (2007)
- H.J. Quah, K.Y. Cheong. Mater. Chem. Phys., 130, 1007 (2011)
- M. Kouda. Doctor thesis (Tokyo Institute of Technology, 2011)
- М.Б. Шалимова, В.С. Афанасков, Е.Н. Хавдей. Вестник СамГУ, 104, 107 (2013)
- В.А. Рожков, А.И. Петров. Письма ЖТФ, 11, 49 (1985)
- K.B. Jinesh, Y. Lamy, E. Tois, W.F.A. Besling. Appl. Phys. Lett., 94, 252906 (2009)
- D.K. Schroder, J.A. Babcock. J. Appl. Phys., 94, 1 (2003)
- D.S. Ang, C.J. Gu, Z.Y. Tung, A.A. Boo, Y. Gao. Microelectronics Reliability, 54, 663 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук