Исследованы изменения тензосопротивления в gamma-облученных (⁶⁰Со) кристаллах n-Ge<Sb> и n-Si<As> при фиксированных температурах в условиях наложения одноосной упругой деформации (0 ≤ X ≤ 1.2 ГПа) вдоль главных кристаллографических направлений. Обнаружено при несимметричном расположении оси деформации относительно изоэнергетических эллипсоидов наличие максимума на зависимостях тензосопротивления rho_X/rho₀ = f (X) и предложено объяснение природы полученного эффекта. Выявлено тензосопротивление в необлученных кристаллах n-Si<As> при симметричном размещении оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов, величина которого уменьшается при gamma-облучении. Показано, что этот эффект можно объяснить изменением подвижности электронов в зоне проводимости вследствие роста поперечной эффективной массы и возникновением новых глубоких центров под действием облучения соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.