Вышедшие номера
Электрический пробой в чистом n- и p-Ge при межзонном фотовозбуждении
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Представлены результаты исследования низкотемпературного примесного электрического пробоя Ethr в чистом n- и p-Ge при собственном фотовозбуждении разной интенсивности. Ожидалось, исходя из модели рекомбинации свободных носителей заряда через глубокие примесные центры, что величина Ethr в этих условиях будет одинаковой для образцов разного типа проводимости и не будет зависеть от степени компенсации образцов. Однако эксперименты показали, что поле пробоя не зависит от интенсивности подсвета и равно темновому значению. Предложено качественное объяснение наблюдаемому эффекту.