Проведено исследование процесса компенсации слабо легированных образцов p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксии, при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Измеренные скорости удаления носителей составили 1.2-1.6 см^-1 для электронов и 240-260 см^-1 для протонов. При этом зависимость измеряемой концентрации нескомпенсированных акцепторов и доноров с увеличением дозы облучения уменьшалась линейно вплоть до полной компенсации. Такой характер зависимости показывает, что компенсация образцов обусловлена переходом носителей заряда на глубокие центры, образованные первичными радиационными дефектами. Показано, что в слаболегированном p-SiC (CVD), в отличие от n-SiC (CVD), первичные дефекты только в подрешетке углерода не могут объяснять процесс компенсации. В p-SiC за компенсацию проводимости отвечают либо первичные дефекты в подрешетке кремния, либо дефекты в обеих подрешетках. Также было проведено исследование спектров фотолюминесценции в зависимости от дозы облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.