Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов

Пелещак Р.М.¹, Лазурчак И.И.¹, Кузык О.В.¹, Данькив О.О.¹, Зегря Г.Г.²

¹Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июля 2015 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована роль акустоэлектронных эффектов в формировании наноразмерных структур адатомов, происходящих в результате самосогласованного взаимодействия адатомов с поверхностной акустической волной и электронной подсистемой, для случая заряженных и незаряженных адсорбированных атомов. Показано, что при фиксированном значении средней концентрации адатомов увеличение степени легирования полупроводника донорными примесями приводит к увеличению критической температуры, ниже которой происходят процессы самоорганизации.

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, A.A. Maradudin. Phys. Rev. B, 57, 968 (1998)
I. Yamada, J. Matsuo, N. Tojoda. Phys. Res. B, 206, 820 (2003)
А.В. Боряков, Д.Е. Николичев, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, А.В. Ершов, А.Н. Михайлов. ФТТ, 54, 370 (2012)
R.М. Peleshchak, О.V. Kuzyk, О.О. Dan'kiv. J. Phys. Studies, 17, 2601 (2013)
В.И. Емельянов, К.И. Еремин. Письма ЖЭТФ, 75, 109 (2002)
I.V. Stasyuk, R.М. Peleshchak. Ukr. J. Phys., 36, 1744 (1991)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Наука, 1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель