Вышедшие номера
Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO2/Si(111)
Паршин А.С.1, Кущенков C.А.1, Пчеляков О.П.2, Михлин Ю.Л.3
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Email: info@sibsau.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов в диапазоне энергий первичных электронов от 300 до 3000 эВ определен профиль концентрации SiO2 в структуре SiO2/Si(111). Анализ спектров проведен с использованием предложенного алгоритма и разработанной программы компьютерного моделирования спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов для слоистых структур с произвольным количеством слоев, произвольной толщины и переменной концентрацией компонентов в каждом слое. Варьированием концентраций диоксида кремния и кремния в каждом слое достигалось наилучшее согласие между расчетными и экспериментальными спектрами. Результаты могут быть использованы для профилирования структур пленка-подложка с произвольным составом компонентов.