Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si_1-xGe_x: получение и некоторые свойства

Деточенко А.П.¹, Денисов С.А.^1,2, Дроздов М.Н.², Машин А.И.¹, Гавва В.А.³, Буланов А.Д.^1,3, Нежданов А.В.¹, Ежевский А.А.¹, Степихова М.В.^1,2, Чалков В.Ю.¹, Трушин В.Н.¹, Шенгуров Д.В.^1,2, Шенгуров В.Г.¹, Abrosimov N.V.⁴, Riemann H.⁴

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany

Email: shengurov@phys.unn.ru

Поступила в редакцию: 9 сентября 2015 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si_1-xGe_x методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния ³⁰Si или ²⁸Si и (или) газового источника моногермана ⁷⁴GeH₄. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев ³⁰Si, ²⁸Si, ⁷⁴Ge и ³⁰Si_1-x⁷⁴Ge_x. Слои ³⁰Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.

K.M. Itoh, H. Watanabe. MRS Commun., 4, 143 (2014)
P.T. Greenland, S.A. Lynch, A.F.G. van der Meer. Nature, 465, 1057 (2010)
В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель