Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии in situ проведены исследования кинетики атомных ступеней на ультраплоской поверхности кремния (111) при температурах 1050-1350oC. Впервые экспериментально показано, что скорость смещения атомной ступени при сублимации нелинейным образом зависит от ширины прилегающей к ступени террасы. Установлено, что атомный механизм процессов массопереноса на поверхности кремния при температурах выше 1200oC определяется зарождением и диффузией поверхностных вакансий, а не адсорбированных атомов кремния. Проведенные исследования позволили оценить энергию активации процесса растворения вакансии с поверхности в объем кремния, которая составила (4.3±0.05) эВ.
- P. Finnie, Y. Homma. Surf. Sci., 500, 437 (2002)
- Ch. Misbah, O. Pierre-Louis, Y. Saito. Rev. Mod. Phys., 82, 981 (2010)
- W. Burton, N. Cabrera, F. Frank. Phil. Trans., A243, 299 (1951)
- Yu. Hervieu, I. Markov. Surf. Sci., 628, 76 (2014)
- J.W. Evans, P.A. Thiel, M.C. Bartelt. Surf. Sci. Rep., 61, 1 (2006)
- J.A. Venables, G.D.T Spiller, M. Hanbucken. Rep. Prog. Phys., 47, 399 (1984)
- K.L. Man, A.B. Pang, M.S. Altman. Surf. Sci., 601, 4669 (2007)
- P. Finnie, Y. Homma, J. Vac. Sci. Tehnol. A, 18, 1941 (2000)
- H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 63, 245 402 (2001)
- H.-C. Jeong, E.D. Williams. Surf. Sci. Rep., 34, 171 (1999)
- A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Surf. Sci., 213, 157 (1989)
- Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino. Phys. Rev. B, 58, 13 146 (1998)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, S.I. Stenin, Surf. Sci., 227, 24 (1990)
- J.M. Bermond, J.J. Metois, X. Egea, C. Alfonso. Surf. Sci., 330, 48 (1995)
- A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Phys. Status Solidi A, 113, 421 (1989)
- Y. Fukaya, Y. Shigeta. Phys. Rev. Lett., 85, 5150 (2000)
- Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizawa. Phys. Rev. B, 55, R10 237 (1997)
- Y. Fukaya, Y. Shigeta. Phys. Rev. B, 65, 195 415 (2002)
- C. Misbah, O. Pierre-Louis, A. Pimpinelli. Phys. Rev. B, 51, 17 283 (1995)
- A. Pimpinelli, J. Villain. Physica A, 204, 521 (1994)
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Патент RU 2453874
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Ultramirosсopy, 48, 377 (1993)
- S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev. Surf. Sci., 633, L1 (2015)
- N. Shimizu, Y. Tanishiro, K. Takayanagi, K. Yagi. Surf. Sci., 191, 28 (1987)
- С.С. Косолобов, А.Л. Асеев, А.В. Латышев. ФТП., 35 (9), 1084 (2001) [Semicondutors, 35, 1038 (2001)]
- N. Kitamura, M.G. Lagally, M.B. Webb. Phys. Rev. Lett., 71, 2082 (1993)
- Y.-N. Yang, E.D. Williams. Phys. Rev. Lett., 72, 1862 (1994)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (Наука, 1978)
- M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
- D.A. Antoniadis, I. Moskowitz. J. Appl. Phys., 53, 6788 (1982)
- M. Suezawa, N. Fukata, Y. Iijima, I. Yonenaga. J. Appl. Phys., 53, 091 302 (2014)
- R. Kube, H. Bracht, E. Huger, H. Schmidt, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, J.W. Ager III, E.E. Haller, T. Geue, J. Stahn. Phys. Rev. B, 88, 085 206 (2013)
- Y. Homma, P. Finnie, M. Uwaha. Surf. Sci., 492, 125 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
