Исследованы профили распределения водородосодержащих доноров в твердых растворах Ge_1-xSi_x (0≤ x≤ 0.06), имплантированных ионами водорода с энергией 200 и 330 кэВ, дозой 1·10¹⁵ см^-2. Установлено, что при более высокой энергии ионов предельная концентрация доноров при постимплантационной термообработке (275^oC) достигается в течение ~ 30 мин, а при более низкой энергии - в течение ~320 мин. В отличие от доноров, формирующихся вблизи поверхности, часть водородосодержащих доноров, образованных при имплантации ионов с более высокой энергией, обладает свойством бистабильности. Предельная концентрация доноров не зависит от энергии ионов, но снижается с ростом содержания примеси кремния от 1.3·10¹⁶ см^-3 (x=0.008) до 1.5·10¹⁵ см^-3 (x=0.062). Предполагается, что наблюдаемые различия обусловлены участием поверхности в процессе формирования доноров за счет существенного ее влияния на процессы дефектообразования, связанные с сопутствующими имплантации радиационными дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.