Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 11 » Статья стр. 1451
<<<>>>
Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43771.3
Большаков А.С.1, Чалдышев В.В.1, Заварин Е.Е.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
PDF версия
Исследованы спектры оптического отражения и пропускания при комнатной температуре периодической полупроводниковой гетероструктуры с 60 квантовыми ямами InGaN/GaN. Период структуры подбирался так, чтобы при определенных углах падения света обеспечить совпадение энергии фотона, испытывающего резонансное брэгговское отражение, с энергией возбуждения экситонов в квантовых ямах. Подгонка спектров, измеренных при углах падения света 30 и 60o, с учетом как резонансных экситонных переходов, так и переходов в непрерывный спектр состояний квантовой ямы позволила определить параметры экситонов в квантовых ямах. Получено значение параметра радиационного затухания (0.20±0.02) мэВ.
  1. Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36, 2118 (1994)
  2. T. Stroucken, A. Knorr, P. Thomas, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 53, 2026 (1996)
  3. V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A. Waag, W. Ossau, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel. Superlat. Microstr., 15, 471 (1994)
  4. Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B, 54, 14 003 (1996)
  5. G.R. Hayes, J.L. Staehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83, 2837 (1999)
  6. M. Hubner, J.P. Prineas, C. Ell, P. Brick, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 83, 2841 (1999)
  7. В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden. ФТП, 40, 1466 (2006)
  8. D. Goldberg, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, Zh. Shi, V.M. Menon, V. Tokranov, M. Yakimov, S. Oktyabrsky. Nat. Photonics, 3, 662 (2009)
  9. V.V. Chaldyshev, Y. Chen, A.N. Poddubny, A.P. Vasil'ev, Z. Liu. Appl. Phys. Lett., 98, 073 112 (2011)
  10. В.В. Чалдышев, Е.В. Кунделев, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, А.А. Горбацевич. ФТП, 46, 1039 (2012)
  11. V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, T. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 99, 251 103 (2011)
  12. А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина. ФТТ, 55, 1706 (2013)
  13. A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, E.E. Zavarin. J. Mater. Res., 30, 603 (2015)
  14. Е.Л. Ивченко. ФТТ, 33, 2388 (1991)
  15. P.C. Klipstein, N. Apsley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 6461 (1986)
  16. E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures (Springer, 2007) p. 97

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme