Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43772.4

Яблонский А.Н.^1,2, Морозов С.В.^1,2, Гапонова Д.М.^1,2, Алешкин В.Я.^1,2, Шенгуров В.Г.², Звонков Б.Н.², Вихрова О.В.², Байдусь Н.В.², Красильник З.Ф.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: yablonsk@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.

A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubishev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041 104 (2014)
D. Liang, G. Roelkens, R. Baets, J.E. Bowers. Materials, 3, 1782 (2010)
H. Wada, T. Kamijoh. IEEE J. Select, Topics Quant. Electron., 3, 937 (1997)
H. Wada T. Kamijoh. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Rap. Short Notes, 37, 1383 (1998)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
A. Lee, H. Liu, A. Seeds. Semicond. Sci. Technol., 28, 015 027 (2013)
J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
Yu.G. Sadofyev, N. Samal, B.A. Andreev, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, A.G. Spivakov, A.N. Yablonskiy. Semiconductors, 44, 405 (2010)
S.V. Morozov, D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, A.V. Antonov, D.I. Kuritsin, D.M. Gaponova, Yu.G. Sadofyev, N. Samal, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 113, 163 107 (2013)
D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, S.V. Morozov, V.Ya. Aleshkin, B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 116, 203 102 (2014)
Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева. ФТП, 47, 1231 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель