Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Email: vromaka@polynet.lviv.ua
Поступила в редакцию: 15 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T=80-400 K, NAY~1.9·1020-5.721 см-3 (x=0.01-0.30) и H≤10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf (4 a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1-xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129
- В.А.Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, Р.О. Корж, D. Kaczorowski, В.Я. Крайовський, О.И. Лах. Термоэлектрика, 2, 42 (2014)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, Т.М. Ковбасюк. ФТП, 49 (3), 299 (2015)
- В.В. Ромака, E.K. Hlil, О.В. Бовгира, Л.П. Ромака, В.М. Давидов, Р.В. Крайовський. Укр. физ. журн., 54 (11), 1120 (2009)
- Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
- T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381, 118 (2001)
- M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
- V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
- R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
- V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
- В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
