Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb₂Te₃

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270

Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, 14.578.21.0085 (RFMEFI57814X0085)

Шерченков А.А.

¹, Козюхин С.А.

², Лазаренко П.И.

¹, Бабич А.В.

¹, Богословский Н.А.

³, Сагунова И.В.

¹, Редичев Е.Н.

¹Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

²Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: aa_sherchenkov@rambler.ru, sergkoz@igic.ras.ru, aka.jum@gmail.com, drent@yandex.ru, nikitabogoslovskiy@gmail.com, sagunova@list.ru , jack_71@front.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb₂Te₃: Ge₂Sb₂Te₅, GeSb₂Te₄ и GeSb₄Te₇. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb₂Te₃, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270

G.W. Burr, M.J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy. J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (2), 223 (2010)
S. Raoux, W. We nic, D. Ielmini. Chem. Rev., 110, 240 (2010)
N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. (Oxford. Clarendon Press, 1979)
N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, M. Takao. J. Appl. Phys., 69, 2849 (1991)
С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, Е.В. Горшкова и др. Неорг. матер., 45 (4), 408 (2009)
M. Nardone, M. Simon, I.V. Karpov, V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 112, 071101 (2012)
P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, Y. Shtern, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, E.N. Redichev. SPIE Proc., 9440, 944006 (2014)
Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 43 (10), 1378 (2009)
Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43 (10), 1383 (2009)
H.-S.P. Wong, S. Raoux, S.-B. Kim, J. Liang, J.P. Reifenberg, B. Rajendran, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. IEEE, 98 (12), 2201 (2010)
J.A. Dean. Lange's handbook of chemistry (15th edn) (McGraw-Hill Inc., 1999) p. 4.1--4.84
С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Х.Ф. Нгуен, В.В. Козик. Изв. вузов. Физика, 57 (7/2), 67 (2014)
Y. Zhang, D. Ielminia. Appl. Phys. Lett., 90, 192102, (2007)
Н. Мотт. Электроны в неупорядоченных структурах под ред. А.А. Бонч-Бруевича (М., Мир, 1967) с. 172
S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko. Canadian J. Phys., 92 (7/8), 684 (2014)
M.H. Brodskiy. Topics Appl. Phys., 36 (1979)
A. Van der Plass, R.H. Bube. J. Non-Cryst. Sol., 24, 377 (1976)
P. Nagels, R. Callaerts, M. Denayer. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors, eds J. Stuke, W. Brenig (Taylor and Francis, London, 1973)
G. Nicolescu, I. O'Connor, C. Piguet. Springer, 339 (2012)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) c. 656 [пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко]
М. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416 [пер. с англ. под ред. С.М. Рывкина]
A. Rose. Phys. Rev. 97 (6), 1538 (1955)
L.F. Marsal, J. Pallare`s, X. Correig. Appl. Phys., 79 (11), 8493 (1996)
А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова. ФТП, 45 (12), 1599 (2011)
J. Weisfield. J. Appl. Phys., 54, 6401 (1983)
Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 43 (11), 1521 (2009)
E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705, (2013)
J.M. Yahez-Limon, J. Gonzalez-Hernandez, J.J. Alvarado-Gil, I. Delgadillo, H. Vargas. Phys. Rev. B, 52 (23), 16321 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель