Вышедшие номера
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, No 14.607.21.0011 (уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011)
Слаповский Д.Н.1,2, Павлов А.Ю. 2, Павлов В.Ю.2, Клековкин А.В.2,3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: dslapovskiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700oC, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750oC качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700oC идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом·мм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418