Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418

Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, No 14.607.21.0011 (уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011)

Слаповский Д.Н.^1,2, Павлов А.Ю. ², Павлов В.Ю.², Клековкин А.В.^2,3

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: dslapovskiy@gmail.com

Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700^oC, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750^oC качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700^oC идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом·мм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418

В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
S. Yoon, J. Bang, H. Lee, J. Oh. Microelectron. Engin., 151, 60 (2016)
S. Yoon, Y. Song, S.M. Lee, H. Lee, J. Oh. Semicond. Sci. Technol., 31, 055002 (2016)
S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K.J. Duxtad, E.E. Haller, Z.F. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1556 (1996)
A. Motayed, R. Bathe, M.C. Wood, O.S. Diouf, R.D. Vispute, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 93 (2), 1087 (2003)
Y. Liu, S.P. Singh, L.M. Kyaw, M.K. Bera, Y.J. Ngoo, H.R. Tan, S. Tripathy, G.Q. Lo, E.F. Chor. ECS J. Solid State Sci. Technol., 4( 2), 30 (2015)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
Y. Liu, M.K. Bera, L.M. Kyaw, G.Q. Lo, E.F. Chor. Int. J. Electron. Comput. Inf. Technol., 6 (9), 957 (2012)
D. Selvanathan, F.M. Mohammed, A. Tesfayesus, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol., 22 (5), 2409 (2004)
A. Schmid, Ch. Schroeter, R. Otto, M. Schuster, V. Klemm, D. Rafaja, J. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 106, 053509 (2015)
A.T. Ping, M.A. Khan, I. Adesida. J. Electron. Mater., 25, 819 (1996)
C.T. Lee, M.Y. Yeh, Y.T. Lyu. J. Electron. Mater., 26, 262 (1997)
G. Guodong, D. Shaobo, L. Yuanjie, H. Tingting, X. Peng, Y. Jiayun, F. Zhihong. J. Semicond., 34 (11), 114004 (2013)
F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 88, 212107 (2006)
V. Desmaris, J. Shiu, Ch. Lu, N. Rorsman, H. Zirath, E. Chang. J. Appl. Phys., 100, 034904 (2006)
F.M. Mohammed, L. Wang, H.J. Koo, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 033708 (2007)
F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 013702 (2007)
W. Macherzynski, A. Stafiniak, A. Szyszka, J. Gryglewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Tlaczala. Optica Applicata, 39 (4), 673 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель