Вышедшие номера
Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов
Векслер М.И.1, Илларионов Ю.Ю.1,2, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Technische Universitat Wien, Institut fur Mikroelektronik, Gub hausstr. 29, Vienna, Austria
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры металл-окисел-p+-кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO2, HfO2 и TiO2 в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6)·1018 до (2-3)·1019 см-3 в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO2/p+-Si(1019-3) толщина окисла должна превышать ~3 нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~1012-2 и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44337.8445