Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In0.38Ga0.62As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Пономарев Д.С.1, Хабибуллин Р.А.1, Ячменев А.Э.1, Мальцев П.П.1, Грехов М.М.2, Иляков И.Е.3, Шишкин Б.В.3, Ахмеджанов Р.А.3
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In0.38Ga0.62As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ~10-5 при достаточно малом оптическом флюенсе ~40 мкДж/см2, что почти на два порядка выше, чем в "низкотемпературном" GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44348.8413
- C.W. Berry, N. Wang, M.R. Hashemi, M. Unlu, M. Jarrahi. Nature Commun., 4, 1622 (2013)
- Р.Р. Галиев, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. Изв. РАН. Сер. физ., 80 (4), 523 (2016)
- J.T. Kindt, C.A. Schumuttenmaer. J. Phys. Chem., 100, 10373 (1996)
- N.T. Yardimci, S.-H. Yang, C.W. Berry, M. Jarrahi. IEEE Trans. Ter. Sci. Technol., 5, 223 (2015)
- Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
- A. Takazato, M. Kamakura, T. Matsui, J. Kitagawa, Y. Kadoya. Appl. Phys. Lett., 91, 011102 (2007)
- S.-P. Han, H. Ko, N. Kim, H.-C. Ryu, C.W. Lee, Y.A. Leem, D. Lee, M.Y. Jeon, S.K. Noh, H.S. Chun, K.H. Park. Optics Lett., 36 (16), 3094 (2011)
- A.A. Bernussi, C.F. Souza, W. Carvallio, D.I. Lubyshev, J.C. Rossi, P. Rasmaji. Braz. J. Phys., 24 (1), 460 (1994)
- X.-C. Zhang, D.H. Auston. J. Appl. Phys., 71 (1), 326 (1992)
- A. Takazato, M. Kamakura, T. Matsui, J. Kitagawa, Y. Kadoya. Appl. Phys. Lett., 91, 011102 (2007)
- R. Huber, A. Brodschelm, F. Tauser, A. Leitenstorfer. Appl. Phys. Lett., 76 (22), 3191 (2000)
- N. Chimot, J. Mangeney, P. Mounaix, M. Tondusson, K. Blary, J.F. Lampin. Appl. Phys. Lett., 89, 083519 (2006)
- M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86, 163504 (2005)
- D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
- V. Malevich, R. Adomavicius, A. Krotkus. C.R. Phys., 9, 130 (2008)
- M.C. Beard, G.M. Turner, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys., 90, 5915 (2001)
- A. Reklaitis. J. Appl. Phys., 108, 053102 (2010)
- K. Liu, J.Z. Xu, T. Yuan, X.-C. Zhang. Phys. Rev. B, 73, 155330 (2006)
- P. Gu, M. Tani, S. Kono, K. Sakai, X.-C. Zhang. J. Appl. Phys., 91 (7), 5533 (2001)
- G. Klatt, F. Hilser, W. Qiao, M. Beck, R. Gebs, A. Bartels, K. Huska, U. Lemmer, G. Bastian, M.B. Johnston, M. Fischer, J. Faist, T. Dekorsy. Opt. Express, 18 (5), 4939 (2010)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
- D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, A.S. Bugaev, Y.V. Fedorov, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, P.P. Maltsev. Int. J. High Speed Electron. Syst., 24, (1--2), 1520001 (2015)
- Г.Б. Галиев, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. Рос. нанотехнол., 10 (7--8), 73 (2015)
- E.A.P. Prieto, S.A.B. Vizcara, A.S. Somintac, A.A. Salvador, E.S. Estacio, C.T. Que, K. Yamamoto, M. Tani. J. Opt. Soc. Am. B, 31 (2), 291 (2014)
- М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, С.В. Субач, М.П. Якубеня, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев. ФТП, 33 (8), 900 (1999)
- И.С. Васильевский, С.С. Пушкарев, М.М. Грехов, А.Н. Виниченко, Д.В. Лаврухин, О.С. Коленцова. ФТП, 50 (4), 567 (2016)
- I.E. Ilyakov, G.Kh. Kitaeva, B.V. Shishkin, R.A. Akhmedzhanov. Optics Lett., 41 (13), 2998 (2016)
- Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. Кристаллография, 59 (2), 297 (2014)
- V. Apostolopoulos, M.E. Barnes. J. Phys. Dr: Appl. Phys., 47, 374002 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
