Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44349.8414

Министерство образования и науки Российской Федераци, грант Президента Российской Федерации, МК-6081.2016.8

Хабибуллин Р.А.

¹, Щаврук Н.В.¹, Клочков А.Н.¹, Глинский И.А.¹, Зенченко Н.В.¹, Пономарев Д.С.¹, Мальцев П.П.¹, Зайцев А.А.², Зубов Ф.И.³, Жуков А.Е.^3,4, Цырлин Г.Э.^3,4, Алфёров Ж.И.^3,4

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

Email: khabibullin@isvch.ru

Поступила в редакцию: 26 сентября 2016 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

PDF версия

Исследованы зависимости положения электронных уровней и силы осциллятора переходов от приложенного электрического поля для терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц ККЛ)с резонансно-фононным дизайном на основе каскада, состоящего их трех квантовых ям. Рассчитаны напряженности электрического поля для двух характерных состояний исследуемого терагерцового квантово-каскадного лазера: 1) протекание паразитного" тока по структуре, когда порог генерации еще не достигнут; 2) порог генерации достигнут. Проведено моделирование процессов теплопереноса в исследуемых терагерцовых квантово-каскадных лазерах для определения оптимальных режимов питания и охлаждения. Подобраны режимы термокомпрессионного соединения гребневого полоска лазера с проводящей подложкой n⁺-GaAs на основе Au-Au для создания механически более прочного контакта c большей теплопроводностью. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44349.8414

B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Electron. Lett., 42 (2), 89 (2006)
L.H. Li, L. Chen, J.X. Zhu, J. Freeeman, P. Dean, A. Valavanis, A.G. Davies, E.H. Linfield. Electron. Lett., 50 (4), 309 (2014)
J.R. Gao, J.N. Hovenier, Z.Q. Yang, J.J.A. Baselmans, A. Baryshev, M. Hajenius, T.M. Klapwijk, A.J.L. Adam, T.O. Klaassen, B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 86 (24), 244104 (2005)
Q. Qin, J.L. Reno, Q. Hu. Optics Lett., 36 (5), 692 (2011)
D. Burghoff, T.Y. Kao, N. Han, C.W.I. Chan, X. Cai, Y. Yang, D.J. Hayton, J.R. Gao, J.L. Reno, Q. Hu. Nature Photonics, 8 (6), 462 (2014)
H. Li, P. Laffaille, D. Gacemi, M. Apfel, C. Sirtori, J. Leonardon, G. Santarelli, M. Rosch, G. Scalari, M. Beck, J. Faist, W. Hansel, R. Holzwarth, S. Barbieri. Optics Express, 23 (26), 33270 (2015)
Р.Р. Галиев, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. Изв. РАН. Сер. физ., 80 (4), 523 (2016)
D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, A.S. Bugaev, Y.V. Fedorov, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, P.P. Maltsev. Int. J. High Speed Electron. Syst., 24, 1520001 (2015)
M.A. Belkin, Q.J. Wang, C. Pflugl, A. Belyanin, S.P. Khanna, A.G. Davies, E.H. Linfield, F. Capasso. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 15 (3), 952 (2009)
Y. Chassagneux, Q.J. Wang, S.P. Khanna, E. Strupiechonski, J.R. Coudevylle, E.H. Linfield, A.G. Davies, F. Capasso, M.A. Belkin, R. Colombelli. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 2 (1), 83 (2012)
M.A. Belkin, F. Capasso. Phys. Scripta, 90 (11), 118002 (2015)
R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature, 417, 156 (2002)
S. Fathololoumi, E. Dupont, C.W.I. Chan, Z.R. Wasilewski, S.R. Laframboise, D. Ban, A. Matyas, C. Jirauschek, Q. Hu, H.C. Liu. Optics Express, 20 (4), 3866 (2012)
C.A. Evans, D. Indjin, Z. Ikonic, P. Harrison, M.S. Vitiello, V. Spagnolo, G. Scamarcio. IEEE J. Quant. Electron, 44 (7), 680 (2008)
S. Kumar, B.S. Williams, S. Kohen, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett., 84 (14), 2494 (2004)
B.S. Williams, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Optics Express, 13 (9), 3331 (2005)
А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, М.А. Калитеевский, К.А. Иванов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 50 (5), 674 (2016)
Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, А.Ю. Павлов, Д.С. Пономарев, К.Н. Томош, Р.Р. Галиев, П.П. Мальцев, А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 50 (10), 1395 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель