Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti
Ницук Ю.А.1, Ваксман Ю.Ф.1
1Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Email: nitsuk@onu.edu.ua
Поступила в редакцию: 16 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe:Ti в видимой и ИК-областях спектрa. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Тi обусловлена оптическими переходами электронов c основного состояния 3A2(F) на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Тi осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Тi2+. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44413.8388