Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров
1Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия 
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: gusev@iep.uran.ru, lyubutin@iep.uran.ru, rukin@iep.uran.ru, serg@iep.uran.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания dU/dt в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от dU/dt. Активная площадь увеличивается с возрастанием dU/dt, а также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при dU/dt>12 кВ/нс. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44429.8367
- V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, I.G. Tchashnikov, P.M. Yarin. Proc. XXII Int. Power Modulator Symp. (Boca Raton, USA, 1996) p. 22
- I.V. Grekhov, S.V. Korotkov, P.V. Rodin. IEEE Trans. Plasma Sci., 36 (2), 378 (2008)
- С.В. Коротков, Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, А.Л. Жмодиков, Д.А. Коротков, А.Г. Люблинский. ПТЭ, N 5, 90 (2009)
- I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., 38 (5), 1118 (2010)
- С.В. Коротков, Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, Д.А. Коротков. ПТЭ, N 4, 67 (2014)
- А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Изв. вузов. Физика, N 12/2, 152 (2014)
- А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ПТЭ, 3, 65 (2015)
- А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ФТП, 50 (3), 398 (2016)
- http://www.proton-electrotex.com
- С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 46 (4), 535 (2012)
- А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 48 (8), 1095 (2014)
- P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094 506 (2005)
- А.Ф. Кардо-Сысоев, М.В. Попова. ФТП, 30 (5), 803 (1996)
- П.Б. Родин, А.М. Минарский, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 38 (11), 78 (2012)
- M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices, ed. by T.K. Wei (World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore, 2005)
- М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ЖЭТФ, 94 (5), 321 (1988)
- М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ЖЭТФ, 95 (5), 1850 (1989)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20 (12), 38 (1994)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 31 (4), 432 (1997)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 34 (6), 692 (2000)
- С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 14 (16), 1526 (1988)
- И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 16 (17), 9 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
