Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова 
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: i.n.odin@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Приведены экспериментальные результаты исследования выходных характеристик четырехконтактных полупроводниковых позиционно-чувствительных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных фоточувствительных слоев n-CdSe/слюда. Проведен теоретический анализ позиционной чувствительности слоев на основе элементарной теории токопротекания и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности исследованных позиционно-чувствительных фотоприемников коррелируют с экспериментальными зависимостями как по форме кривых, так и положению максимумов. Результаты определения удельной спектральной чувствительности свидетельствуют о перспективности слоев n-CdSe в качестве позиционно-чувствительных фотоприемников. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406
- Дж. Фрайден. Современные датчики: Справочник (М., Техносфера, 2005) с. 308. [Пер. с англ. Ю.А. Заболотной под ред. Е.Л. Свинцова: J. Fraden. Handbook of Modern Sensors: Physics, Designs, and Applications (N.Y.-Berlin-Heidelberg-Hong Kong-London-Milan-Paris-Tokio, Springer, 2004)
- А.Н. Марченко, С.В. Свечников, А.К. Смовж. Полупроводниковые сенсорные потенциометрические элементы (М., Радио и связь, 1988) с. 5
- H. Niu, C. Aoki, T. Matsuda. Jpn. Appl. Phys., 26 (1), L35 (1987)
- Э.А. Сенокосов, А.А. Клюканов, А.Н. Усатый, С.А. Сергеев, В.М. Федоров. А. с. СССР N 1436796, опубликовано 08.07.1988
- А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, А.Н. Усатый, В.М. Федоров. А.с. СССР N 1499119, опубликовано 07.08.1989
- Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан. Прикл. физика, N 2, 77 (2006)
- Э.А. Сенокосов, В.И. Чукита, И.Н. Один, М.В. Чукичев, Е.С. Абрамова. Неорг. матер., 48 (12), 1299 (2012)
- А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, Д.Е. Богинский, В.В. Сорочан, Л.В. Фещенко. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 1, 49 (2003)
- Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан, Р.А. Хамидуллин, Е.И. Брусенская. Вестн. Приднестровского ун-та, N 3, 7 (2009)
- Я.П. Терлецкий, Ю.П. Рыбаков. Электродинамика (М., Высш. шк., 1990) с. 48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
