Вышедшие номера
Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда
Сенокосов Э.А.1, Чукита В.И.1, Хамидуллин Р.А.1, Чебан В.Н.1, Один И.Н.2, Чукичев М.В.2
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: i.n.odin@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Приведены экспериментальные результаты исследования выходных характеристик четырехконтактных полупроводниковых позиционно-чувствительных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных фоточувствительных слоев n-CdSe/слюда. Проведен теоретический анализ позиционной чувствительности слоев на основе элементарной теории токопротекания и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности исследованных позиционно-чувствительных фотоприемников коррелируют с экспериментальными зависимостями как по форме кривых, так и положению максимумов. Результаты определения удельной спектральной чувствительности свидетельствуют о перспективности слоев n-CdSe в качестве позиционно-чувствительных фотоприемников. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406