Вышедшие номера
Электрофизические свойства кристаллов ZnSe, легированных переходными элементами
Ницук Ю.А.1, Ваксман Ю.Ф.1
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Email: nitsuk@onu.edu.ua
Поступила в редакцию: 11 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Проведены исследования электропроводности и фотопроводимости кристаллов ZnSe, легированных ионами переходных элементов. Показано, что легирование кристаллов селенида цинка примесями 3d-элементов не приводит к образованию электрически активных уровней этих примесей. Вместе с тем внедрение исследуемых примесей в катионную подрешетку приводит к образованию электрически активных собственных дефектов. Установлено, что кристаллы ZnSe, легированные Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, обладают высокотемпературной примесной фотопроводимостью. Предложены механизмы фотопроводимости в исследуемых кристаллах. По положению первой ионизационной полосы фотопроводимости определены энергии основных состояний 3d2+-ионов в кристаллах селенида цинка. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44557.8448