Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44558.8433

Рехвиашвили С.Ш.¹, Алиханов А.А.¹

¹Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Нальчик, Россия Institute of Applied Mathematics and Automatization, Kabardino-Balkar Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Nalchik, Russia

Institute of Applied Mathematics and Automatization, Kabardino-Balkar Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Nalchik, Russia

Email: rsergo@mail.ru

Поступила в редакцию: 22 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе дифференциального уравнения в частных производных дробного порядка проведено моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковом слое с фрактальной структурой под действием продольного переменного электрического поля. В рамках модели показано, что в слоях с фрактальной структурой имеют место уширение и асимметрия пространственно-временных распределений носителей заряда. При определенных условиях наблюдается эффект удвоения частоты осцилляций заряда во внешнем переменном электрическом поле. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44558.8433

А.И. Олемской, А.Я. Флат. УФН, 163 (12), 1 (1993)
V.V. Uchaikin. Fractional Derivatives for Physicists and Engineers (Beijing, Higher Education Press, 2012)
R. Herrmann. Fractional Calculus --- An Introduction for Physicists (Singapore, World Scientific, 2014)
V.V. Uchaikin, R.T. Sibatov. Commun. Nonlinear Sci. Numerical Simulation, 13, 715 (2008)
Р.Т. Сибатов, В.В. Учайкин. УФН, 179 (10), 1079 (2009)
С.Ш. Рехвиашвили, М.О. Мамчуев, М.О. Мамчуев. ФТТ, 58 (4), 763 (2016)
С.Г. Самко, А.А. Килбас, О.И. Маричев. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их приложения (Минск, Наука и техника, 1987)
А.В. Псху. Уравнения в частных производных дробного порядка (М., Наука, 2005)
Е. Федер. Фракталы (М., Мир, 1991)
Р.М. Кроновер. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории (М., Мир, Постмаркет, 2000)
С.Ш. Рехвиашвили. Письма ЖТФ, 30 (2), 33 (2004)
С.Ш. Рехвиашвили. Нелинейный мир, 5 (4), 194 (2007)
А.В. Псху. Изв. РАН. Сер. мат., 73 (2), 141 (2009)
В.В. Учайкин. ЖТФ, 74 (7), 123 (2004)
A.A. Alikhanov. J. Comput. Phys., 280, 424 (2015)
Р.Р. Нигматуллин. ТМФ, 90 (3), 354 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель