Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS_xSe_1-x, полученных в матрице пористого оксида алюминия,

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45020.8381

Чукавин А.И.¹, Валеев Р.Г.¹, Бельтюков А.Н.¹

¹Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия Physical Technical Institute, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Izhevsk, Russia

Physical Technical Institute, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Izhevsk, Russia

Email: andrey_chukawin@mail.ru

Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Наноструктуры полупроводниковых соединений ZnS_xSe_1-x (x=0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1) были синтезированы с использованием темплатного метода, основанного на формировании наночастиц полупроводника в шаблонах пористого анодного оксида алюминия при помощи метода вакуумного термического испарения смеси порошков ZnS и ZnSe. Представлены результаты исследований элементного состава полученных наноструктур в зависимости от состава исходной смеси и параметров матрицы-подложки методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что состав наноструктур близок к составу исходных порошков и может быть задан соотношением ZnS/ZnSe в исходной смеси. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45020.8381

Е.М. Гаврищук, Д.В. Савин, В.Б. Иконников. Прикл. физика, 1, 62 (2010)
H. Xu, Y. Liang, Z. Liu, X. Zhang, S. Hark. Adv. Mater., 20, 3294 (2008)
Y. Liang, H. Xu, S. Hark. Cryst. Growth Des., 10, 4206 (2010)
S. Park, H. Kim, C. Jin, C. Lee. Curr. Appl. Phys., 12, 499 (2012)
J.P. Lu, H.W. Liu, C. Sun, M.R. Zheng, M. Nripan, G.M. Subodh, X.H. Zhang, C.H. Sow. Nanoscale, 4, 976 (2012)
Young-Jin Choi, S. Joon Kwon, Kyoung-Jin Choi et al. J. Korean Phys. Soc., 54 (4), 1650 (2009)
D.I. Petukhov, K.S. Napolskii, M.V. Berekchiyan, A.G. Lebedev, A.A. Eliseev. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 7819 (2013)
R.G. Valeev, A.I. Chukavin, V.V. Mukhgalin, V.V. Kriventsov, E.A. Romanov, B.V. Robouch. Mater. Res. Express, 2, 025006 (2015)
D.I. Petukhov, A.A. Eliseev. Nanotechnology, 27, 085707 (2016). H. Masuda, M. Satoh. Jpn. J. Appl. Phys., 35, Pt. 2, L126 (1996)
Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, С.И. Суродин, Р.Н. Крюков. Анализ твердотельных гетеронаносистем методом РФЭС: Учеб.-метод. пособие (Н. Новгород, НГУ, 2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель