Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения
Министерство образования и науки Украины, Радиационные эффекты в полупроводниковых датчиках, 0115U000855
Викулин И.М.
1, Горбачев В.Э.
1, Курмашев Ш.Д.
1
1Академия связи Украины, Одесса, Украина
Email: physonat@gmail.com, physonat@ukr.net
Поступила в редакцию: 26 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Исследовано влияние эффективной концентрации задающей тип проводимости базовой области примеси и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на 2 порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра, что повышает процент выхода годных приборов. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45021.8447
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1990)
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42, 113 (2008)
- В.М. Шарапов, Е.С. Полищук, Г.Г. Ишанин, А.Н. Гуржий, И.М. Викулин, Б.Н. Гордеев, Ю.Д. Жуков, Н.Д. Кошевой, Ш.Д. Курмашев, А.Н. Куценко, С.В. Марченко, И.Г. Минаев. Датчики (Киев, Брама, 2008)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
- V.V. Emtsev, P. Ehrhart, D.S. Poloskin, U. Dedek. Physica B: Condens. Matter, 273, 287 (2000)
- V.V. Emtsev, P. Ehrhart, D.S. Poloskin, K.V. Emtsev. J. Mater. Sci.: Mater Electron., 18, 711 (2007)
- Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов (М., МГИЭМ, 2001)
- A. Nylandsted Larsen, A. Mesli, K. Bonde Nielsen, H. Kortegaard Nielsen, L. Dobaczewski, J. Abey, R. Jones, D.W. Palmer, P.R. Briddon, S. Oberg. Phys. Rev. Lett., 97, 106402 (2006)
- V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan. Semiconductors, 48, 1438 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
