Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2ООО "МеГа Эпитех", Калуга, Россия
2ООО "МеГа Эпитех", Калуга, Россия
Email: suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~0.7, ~0.41 и ~0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией Ev+0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45107.21
- В. Войтович, А. Думаневич, А. Гордеев. Современная электроника, 6, 10 (2014)
- S. Bellone, G. Cocorullo, F.G. Della Corte, H.L. Hartnageland, G. Schweeger. Sol. St. Electron., 35 (6), 821 (1992)
- М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
- П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (1), 338 (1991)
- Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
- O. Korolkov, J. Toompuu, T. Rang. Elrektronika Elektrotechnika (Elrektronics and Electrical Engineering), 19 (10), 1392 (2013)
- Я. Тоомпуу, O. Koрольков, Н. Слепчук, T. Ранг. Электроника и электротехника. Каунас: Технология, 4, 51 (2010)
- В.Л. Крюков, Е.В. Крюков, Л.А. Меерович, С.С. Стрельченко, К.А. Титивкин. Патент RU 2488911 C1. Заявка N 2012110151/28 от 19.03.2012
- D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
- J.L. Pautrat, B. Katirciogli, N. Magnea, D. Bensahel, J.C. Pfistert, L. Revioil. Sol. St. Electron., 23, 1159 (1980)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- G. Roos, A. Schoner, G. Pencl, K. Krambrock, B.K. Meyer. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 951 (1989)
- Phil Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)
- S.R. Forrest, O.K. Kim. J. Appl. Phys., 53, 5738 (1982)
- A. Dargis, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnus, 1994)
- A. Czerwinski, E. Simoen, A. Poyai, C. Claeys. J. Appl. Phys., 94, 1218 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
