Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45108.22

РФФИ, р_поволжье_а, 15-47-02294

Тарасова E.A.¹, Оболенский C.B.¹, Галкин O.E.¹, Хананова A.B.¹, Макаров А.Б.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: thelen@yandex.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после gamma-нейтронного облучения с флюенсом 0.4·10¹⁴ cм^-2. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45108.22

H.B. Басаргина, И. Ворожцова, C.M. Дубровских, O.B. Ткачев, В.П. Шукайло, E.A. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1 (3), 61 2013
Ю.А. Матвеев, Ю.В. Федоров. Нано- и микросистемная техника, N 5, 39 (2011)
E.A. Тарасова, E.C. Оболенская, A.B. Хананова, C.B. Оболенский, B.E. Земляков, В.И. Егоркин, A.B. Неженцев, A.B. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, E.E. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
В.И. Бердышев, Л.В. Петрак. Аппроксимация функций, сжатие численной информации, приложения (Екатеринбург, ИММ УрО РАН, 1999)
A.H. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1979)
H.C. Бахвалов, Н.П. Жидков, Г.М. Кобельков. Численные методы (М., БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008)
Yifeng Wu, Primit Parikh. Intern. Symp. Compound Semiconductor (January/February 2006)
I.P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S.P. Den Baars, J.S. Speck, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 90, 5196 (2001)
G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, F. Rampazzo, F. Zano, A. Tazzoli, M. Meneghini, E. Zanoni. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 8 (2), 332 (2008)
Abhitosh Vais. Thesis for Erasmus Mundus Master Programme Nanoscience \& Nanotechnology, (Microwave Electronics Laboratory Department of Microtechnology \& Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden, 2012)
G.K. Wachutka. IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst., 9 (11), 1141 (1990)
Jie Sun, H. Fatima, A. Koudymov, A. Chitnis, X. Hua, H.-M. Wang, J. Zhang, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan. IEEE Electron Dev. Lett., 24 (6), 375 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель