Вышедшие номера
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010177
Новикова Н.Н.1, Яковлев В.А.1, Кучеренко И.В.2, Виноградов В.С.2, Алещенко Ю.А.2,3, Муратов А.В.2, Karczewski G.4, Chusnutdinow S.4
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
Email: kucheren@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Измерены спектры коэффициента отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке ZnTe/GaAs. Измерения проводились в диапазоне 12-2500 см-1 при комнатной температуре. Методом дисперсионного анализа определены частоты поперечных оптических фононов, плазменные частоты, высокочастотные диэлектрические проницаемости и толщины слоев. В квазистатическом приближении рассчитаны частоты интерфейсных мод четырехслойной структуры в функции параметра перекрытия chi1 (0≤chi1≤1). Параметр описывает степень перекрытия двух интерфейсных мод, локализованных на плоскостях, ограничивающих слой справа и слева. Наличие в структуре взаимодействующих интерфейсных мод делает ее спектр отличным от суммы спектров составляющих ее компонент. Эти отличия проявляются в эксперименте. Обсуждаются условия взаимодействия интерфейсных мод с ИК излучением. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45316.8593