Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm_1-x Gd_xS

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45317.8606

Переводная версия: 10.1134/S1063782618010116

Каминский В.В.¹, Соловьев С.М.¹, Хавров Г.Д.^1,2, Шаренкова Н.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 11 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние концентрации гадолиния на фазовый переход полупроводник-металл в тонких поликристаллических пленках состава Sm_1-xGd_xS, полученных методом взрывного испарения порошка в вакууме. Показано, что основным фактором физического механизма фазового перехода является сжатие материала пленки и что пленки сохраняют свои полупроводниковые свойства лишь до концентрации гадолиния x= 0.12. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45317.8606

В.А. Иванов, В.В. Каминский, Н.Н. Степанов. Научное приборостроение, 24, 77 (2014)
В.В. Каминский, С.М. Соловьев, А.В. Голубков, Н.М. Володин. Патент на полезную модель N 110472. Приоритет от 10.05.2011
И.А. Смирнов, В.С. Оскотский. УФН, 124, 241 (1978)
В.В. Каминский, Н.М. Володин, С.М. Соловьев, Ю.Н. Мишин, Н.В. Шаренкова. Вестн. "НПО им. С.А. Лавочкина", N 2, 26 (2013)
С.В. Погарев, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова, М.Н. Романова, Л.Д. Финкельштейн, Н.Н. Ефремова, Т.Б. Жукова, К. Гарцман, И.А. Смирнов. ФТТ, 23, 434 (1981)
Н.В. Шаренкова, В.В. Каминский, С.Н. Петров. ЖТФ, 81, 144 (2011)
Н.В. Шаренкова, В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев, Г.А. Каменская. ФТТ, 47, 598 (2005)
A. Jayaraman, P.D. Dernier, L.D. Longinotti. High Temp., High Press., 7, 1 (1975)
С.И. Гребинский, В.В. Каминский, А.В. Рябов, Н.Н. Степанов Физика и техника высоких давлений, 16, 22 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель