Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 1 » Статья стр. 57
<<<>>>
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45319.8636
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010153
Надточий А.М.1,2,3, Минтаиров С.А.3, Калюжный Н.А.3, Рувимов С.C.4, Неведомский В.Н.3, Максимов М.В.1,2,3, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In0.4Ga0.6As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур квантовая яма-квантовые точки", представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45319.8636
  1. А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  2. S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Z.I. Alferov. Semiconductors, 36 (11), 1315 (2002)
  3. N.V. Kryzhanovskaya, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, M.M. Kulagina, K.A. Vashanova, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, A. Mintairov. Opt. Express, 22 (21), 25782 (2014)
  4. A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimer, A. Zhukov. Opt. Lett., 32, 793 (2007)
  5. S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy. Semiconductors, 43 (4), 514 (2009)
  6. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti., V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24 (9), 1261 (2016)
  7. B. Browne, J. Lacey, T. Tibbits, G. Bacchin, T.-C. Wu, J.Q. Liu, X. Chen, V. Rees, J. Tsai, J.-G. Werthen. AIP Conf. Proc., 1556, 3 (2013)
  8. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, ISBN: 978-0-470-48412-8
  9. P.R. Griffin, J. Barnes, K.W.J. Barnham, G. Haarpainter, M. Mazzler, C. Zanotti-Fregonara, E. Grunbaum, C. Olson, C. Rohr, J.P.R. David, J.S. Roberts, R. Grey, M.A. Pate. J. Appl. Phys., 80 (10), 5815 (1996)
  10. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26, 385202 (2015)
  11. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. IEEE Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015)
  12. A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, S.S. Rouvimov, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 49 (8), 1090 (2015)
  13. S. Liang, H.L. Zhu, W. Wang. J. Appl. Phys., 100, 103503 (2006)
  14. C.M. Lee, S.H. Choi, J.C. Seo, J.I. Lee, J.Y. Leem, I.K. Han. J. Korean Phys. Soc., 46 (6), 1615 (2004)
  15. Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, J. Wu, Y.H. Chen, D. Ding, W.H. Jang, X.L. Ye, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 90 (4), 1973 (2001)
  16. G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10115 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme