Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010189 
Министерство образования и науки Российской Федерации, соглашение № 14.577.21.0250, RFMEFI57717X0250
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: protasov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Исследовано влияние профиля распределения атомов кремния в донорных delta-слоях гетероструктур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с донорно-акцепторным легированием на подвижность двумерного электронного газа. Параметры профилей delta-слоев определялись путем аппроксимации нормальным распределением пространственных распределений атомов кремния, измеренных методом вторичной ионной масс-спектроскопии. Показано, что соответствующим выбором условий роста значение стандартного отклонения sigma профиля delta-слоев было уменьшено с 3.4 до 2.5 нм. Измерения магнитополевых зависимостей эффекта Холла и проводимости позволили установить, что в результате такого уменьшения sigma подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах возросла на 4000 см2/В·с при 77 K и 600 см2/В·с при 300 K. Проведенный расчет подвижности с учетом заполнения двух первых подзон размерного квантования показал, что возрастание подвижности хорошо объясняется ослаблением кулоновского рассеяния на ионизированных донорах вследствие увеличения эффективной толщины спейсерного слоя при уменьшении значения sigma профиля delta-слоев. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45318.8610
- A. Ketterson, M. Moloney, W.T. Masselink, C.K. Peng, J. Klem, R. Fischer, W. Kopp, H. Morkoc. IEEE Electron Dev. Lett., 6 (12), 628 (1985)
- M. Kudo, T. Mishima, T. Tanimoto, M. Washima. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 971 (1994)
- K.-J. Chao, N. Liu, C.-K. Shih, D.W. Gotthold, B.G. Streetman. Appl. Phys. Lett., 75 (12), 1703 (1999)
- H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 75 (8), 3908 (1994)
- Y.C. Chen, P.K. Bhattacharya. J. Appt. Phys., 73 (11), 7389 (1993)
- B. Jogai. Appl. Phys. Lett., 66 (4), 436 (1995)
- K. Inoue, H. Sakaki, J. Yoshino, Y. Yoshioka. Appl. Phys. Lett., 46 (10), 973 (1985)
- А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский. ФТП, 48 (12), 1660 (2014)
- J. Povzela, V. Juciene, K.J. Povzela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1076 (1995)
- В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 36 (6), 713 (2002)
- C.H. Lin, H.Z. Liu, C.K. Chu, H.K. Huang, Y.H. Wang, C.C. Liu, C.H. Chang, C.L. Wu, C.S. Chang. Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (San-Antonio, Texas, Usa, Nov. 12--15, 2006) p. 165
- H. Amasuga, Seiki Goto, T. Shiga, M. Totsuka. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Long Beach, California, USA, June 11--17, 2005) p. 831
- D.C. Dumka, Ming-Yih Kao, Edward Beam, Tso-Min Chou, Hua-Quen Tserng, D.M. Fanning. Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (Monterey, California, USA, Oct. 3--6, 2010) p. 188
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов. Письма ЖТФ, 38 (17), 84 (2012)
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. ФТП, 48 (5), 684 (2014)
- D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, D.Yu. Protasov, A.K. Gutakovskii, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095108 (2016)
- E.H. Hwang, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 77, 235437 (2008)
- D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Sol. St. Electron., 129, 66 (2017)
- W.A. Beck, J.R. Anderson. J. Appl. Phys., 62 (2), 541 (1987)
- D.Yu. Protasov, A.V. Trifanov, V.Ya. Kostyuchenko. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 62 (3), 30104 (2013)
- Т.Е. Шуп. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство (М., Мир, 1982)
- R. Fletcher, E. Zaremba, M. D'Iorio, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 41, 10649 (1990)
- www.nextnano.de Software for semiconductor nanodevices (25.04.2017)
- E.F. Schubert, Loren Pfeiffer, K.W. West, H.S. Luftman, G.J. Zydzik. Appl. Phys. Lett., 64 (17), 2238 (1994)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- A.C. Beer. Galvanomagnetic effects in semiconductors (N. Y.--London, Academic Press, 1963)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
- D. Chattopadhyay, S.K. Sutradhar, B.R. Nag. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 14, 891, (1981)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
