Фотопорог слоистого кристалла alpha-GeS: расчет из первых принципов
Джахангирли З.А.1,2, Гашимзаде Ф.М.1, Гусейнова Д.А.1, Мехтиев Б.Г.1, Мустафаев Н.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: zakircahangirli@yahoo.com
Поступила в редакцию: 4 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Из первых принципов на основе метода функционала плотности рассчитан фотопорог слоистого кристалла alpha-GeS в зависимости от его толщины. Для моделирования кристалла конечной толщины использовался метод периодических пластин. Две соседние кристаллические пластины, состоящие из нескольких слоев, разделялись вакуумом толщиной в 4 слоя, что соответствует удвоенному размеру элементарной ячейки объемного кристалла. Показано, что при толщине кристалла более 10 слоев величина фотопорога практически не меняется.
- L. Shi, Y. Dai. J. Appl. Cryst., 47, 527 (2014)
- H.C. Hsueh, M.C. Warren, H. Vass, G.J. Ackland, S.J. Clark, J. Crain. Phys. Rev. B, 53, 14806 (1996)
- H. Wiedemeier, H. G. von Schnering. Z. Kristallogr., 148, 295 (1978)
- A.K. Singh, R.G. Hennig. Appl. Phys. Lett., 105, 042103 (2014)
- X. Gonze, B. Amadon, P.-M. Anglade, J.-M. Beuken, F. Bottin, P. Boulanger, F. Bruneval, D. Galiste, R. Caracas, M. C\^ote, T. Deutsch, L. Genovese, Ph. Ghosez, M. Giantomassi, S. Goedecker, D.R. Hamann, P. Hermet, F. Jollet, G. Jomard, S. Leroux, M. Mancini. Comput. Phys. Commun., 180, 2582 (2009)
- S. Goedecker, M. Teter, J. Hutter. Phys. Rev. B, 54, 1703 (1996)
- H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
- C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev. B, 58, 3641 (1998)
- B.D. Malone, E. Kaxiras. Phys. Rev. B, 87, 245312 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.