Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge_28.5Рb₁₅S_56.5 с примесью железа

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46282.8795

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090051

Кастро Р.А.¹, Грабко Г.И.², Кононов А.А.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Забайкальский государственный университет, Чита, Россия Transbaikal State University, Chita, Russia

Email: recastro@mail.ru

Поступила в редакцию: 11 декабря 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge_28.5Рb₁₅S_56.5. Введение примеси железа в матрицу стекла приводит к резкому увеличению значения диэлектрической проницаемости varepsilon' и уменьшению величины диэлектрических потерь tgdelta. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках кластерной модели структуры (двухфазной модели) легированного стекла.

D.I. Bletskan, V.M. Kabatsii. Open J. Inorganic Non-Metallic Mater., 3, 29 (2013)
Y. Liu, R. Golovchak, W. Heffner, O. Shpotyuk, G. Chen, H. Jain. J. Mater. Chem. C, 1, 6677 (2013)
A.K. Kukreti1, S. Gupta, M. Saxena, N. Rastogi. Int. J. Innovative Res. Science, Engin. Techn., 3, 89 (2016)
R.A. Castro, S.A. Nemov, P.P. Seregin. Semiconductors, 40, 898 (2006)
N.I. Anisimova, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Rad. Eff. Def. Solids, 156, 359 (2002)
R.A. Castro, F.S. Nasredinov. Glass Phys. Chem., 32, 412 (2006)
G.A. Bordovskii, R.A. Castro. Glass Phys. Chem., 32, 315 (2006)
K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin Heidelberg, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель