Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010020 
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия 
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.pfu.edu.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ( E) в чистом германии n- и p-типов, в квантующем магнитном поле ( H) при E normal H, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 10 (2), 338 (1976)
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
- Л.И. Веселова. Автореф. канд. дис. (М., 1978)
- В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (10), 1978 (1973)
- В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (8), 1507 (1973)
- В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12 (2), 264 (1978)
- В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 74, 1020 (1978)
- В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 75, 1342 (1978)
- Л.Н. Крещук. ФТП, 13, 919 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
