Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах
Поступила в редакцию: 22 января 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Исследованы закономерности модификации поверхности кремниевых кристаллов при СВЧ плазменной микрообработке в различных химически активных газовых средах. Показано, что модификация обусловлена формированием встроенных поверхностных потенциалов, которые в зависимости от типа электропроводности полупроводников различным образом влияют на автоэмиссионные свойства и приповерхностный электронный транспорт в устройствах, изготовленных на их основе.
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006)
- Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий (М., Физматлит, 2009)
- Р.К. Яфаров, В.Я. Шаныгин. ФТП, 51 (4), 558 (2017)
- Д.В. Будко, Р.К. Яфаров. Тез. докл. VI Всеросс. конф. молодых ученых Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика" (Саратов, Россия, 2011) с. 13
- Р.К. Яфаров, С.А. Климова. ЖТФ, 84 (3), 103 (2014)
- Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, Rui-ting Zheng. J. Nanosci. Nanotechn., 10, 1 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.