Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47108.8870

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020064

Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы, 14.577.21.0250 от 26.09.2017 г.

Ерофеев Е.В.¹, Федин И.В.¹, Федина В.В.¹, Фазлеев А.П.²

¹Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия Research Institute of Electrical Communication Systems, Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Research Institute of Electrical Communication Systems, Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

²АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия Research and Production Company “Micran”, Tomsk, Russia

Email: erofeev@sibmail.com

Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы закономерности формирования низкотемпературного омического контакта на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам Al_0.25Ga_0.75N/GaN на кремниевых подложках. Получены омические контакты на основе композиции Ta/Al/Ti (10/300/20 нм), характеризующиеся низким значением приведенного контактного сопротивления (0.4 Ом·мм), а также гладкой морфологией поверхности контактной площадки и ее края после термической обработки при T=550^oC в течение t=60 с в среде азота.

M. Rosker, C. Bozada, H. Dietrich. CS MANTECH Conf. Proc. (Tampa, USA, 2009)
В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
H.P. Xin, S. Poust, W. Sutton. CS MANTECH Conf. Proc. (Portland, Oregon, USA, 2010)
V. Tilak, R. Dimitrov, M. Murphy, B. Green, J. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 622, T7.4.1 (2000)
F.A. Faria, J. Guo, P. Zhao, G. Li, P.K. Kandaswamy, M. Wistey, H.G. Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 101, 109 (2012)
B. Van Daele, G. Van Tendeloo, W. Ruythooren. Appl. Phys. Lett., 87, 061905 (2005)
M.W. Fay, G. Moldovan, P.D. Brown. J. Appl. Phys., 92, 94 (2002)
F.M. Mohammed, L.K. Wang, S. Liang, H.H. Deepak, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (3), 2330 (2005)
A. Firrencieli, B. Jaeger, S. Decoutere. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 03EF01-1 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель