Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47109.8908

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020246

Тысченко И.Е.¹, Попов И.В.¹, Спесивцев Е.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: tys@isp .nsc.ru

Поступила в редакцию: 14 мая 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучена скорость анодного окисления пленок кремний-на-изоляторе (КНИ), созданных методом водородного переноса, как функция температуры последующего отжига. Установлено, что скорость окисления перенесенных пленок КНИ в 5 раз меньше по сравнению со скоростью окисления образцов монокристаллического объемного кремния. Скорость окисления растет по мере отжига образцов в интервале температур 700-1100^oС, а также с глубиной по мере поэтапного удаления анодно-окисленных слоев. Полученные результаты объясняются увеличением эффективности анодного тока и взаимодействия атомов кислорода и кремния соответственно за счет отжига дефектов и выхода водорода из связанного состояния. Обнаружено образование водородных пузырей в приповерхностной области кремния за счет диффузии водорода, высвобождающегося в процессе реакции окисления, к микропорам в слое КНИ.

P.F. Schmidt, W. Michel. J. Electrochem. Soc., 104, 230 (1957)
K.M. Busen, R. Linsey. Trans. Metall. Soc. AIME., 236, 306 (1966)
W. Przyborski, J. Roed, J. Lippert, L. Sarholt-Kristensen. Radiat. Eff., 1, 33 (1969)
N.G.E. Johannson, I.W. Meyer. Solid-State Electron., 13, 317 (1970)
A. Manara, A. Ostidich, G. Pedroli, G. Restelli. Thin Sol. Films, 8, 359 (1971)
В.А. Антонов, Е.В. Спесивцев, И.Е. Тысченко. ФТП, 45, 1121 (2011)
G. Mende, G. Kuster. Thin Sol. Films, 35, 215220 (1976)
В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Патент РФ N 2217842 (Бюл. N 33, 27.11. 2003)
J.P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980); www.srim.org
K. Mitani, U.M. Gosele. Appl. Phys. A, 54, 543 (1992)
D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
D.L. Griscom. J. Non-Cryst. Sol., 68, 301 (1984)
Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.М. Цейтлин. ПТЭ, 5, 254 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель