Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47112.8946

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020155

Левин Р.В.¹, Неведомский В.Н.¹, Баженов Н.Л.¹, Зегря Г.Г.¹, Пушный Б.В.¹, Мизеров М.Н.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: Lev@vp egroup.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 3 июля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены первые результаты исследования возможности изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Экспериментально показана возможность изготовления гетероструктур с напряженной сверхрешеткой типа InAs/GaSb с толщиной слоев 2-4 нм. В спектрах электролюминесценции структур при 77 K наблюдается длинноволновый пик в районе 5 мкм (0.25 эВ), вероятно, связанный с напряженной сверхрешеткой, так как твердые растворы, которые могли бы образоваться на основе составных соединений, не обеспечивают полученную энергию рекомбинации носителей.

G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67 (12), 2681 (1995)
D.L. Smith, C. Mailhiot. J. Appl. Phys., 62 (6), 2545 (1987)
Y. Huang, J.-H. Ryou, R.D. Dupuis, D. Zuo, B. Kesler, S.-L. Chuang, H. Hu, K.-H. Kim, Y.T. Lu, К.С. Hsieh, J.-M. Zuo. Appl. Phys. Lett., 99, 011109 (2011)
R. Taalat, J.-В. Rodriguez, M. Delmas, Ph. Christol. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 015101 (2014)
Р.В. Левин, А.А. Усикова, В.Н. Неведомский, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Б.В. Пушный, Г.Г. Зегря. Тез. докл. XXV Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., 2018) т. 1, с. 247
В.М. Андреев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный. Патент РФ N 2611692 от 28.02.2017

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель