Влияние температуры фотонного отжига на структурные и оптические свойства пленок ZnO, синтезированных методом дуального магнетронного распыления
Зайцев С.В.1, Ващилин В.С.1, Колесник В.В.1, Лимаренко М.В.1, Прохоренков Д.С.1, Евтушенко Е.И.1
1Белгородский государственный технологический университет имени В.Г. Шухова, Белгород, Россия
Email: sergey-za@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Пленки ZnO толщиной 1.4 мкм осаждали на стеклянные подложки методом дуального магнетронного распыления мишеней Zn в газовой среде аргона и кислорода. Проведены исследования зависимости структурных и оптических характеристик пленок ZnO от температуры фотонного отжига после осаждения. Установлено что, повышение температуры отжига приводит к повышению степени кристалличности пленок. Электронная микроскопия показала, что осажденное покрытие ZnO имеет столбчатую структуру, причем отжиг увеличивает плотность микроструктуры и размер кристаллита. Обнаружено, что при температуре отжига 450-650oC коэффициент оптического пропускания увеличился до значения >90% в спектральной области 400-1100 нм. Экспериментальные результаты показывают, что температура фотонного отжига в вакууме оказывает наибольшее влияние на конечные свойства покрытий ZnO.
- V. Senay, S. Pat, S. Korkmaz, T. Aydogmus, S. Elmas, S. Ozen, N. Ekem, M.Z. Balbag. Appl. Surf. Sci., 318, 2 (2014)
- V.S. Burakov, N.V. Tarasenko, E.A. Nevar, M.I. Nedel'ko. Technical Physics, 56 (2), 245 (2011)
- D.T. Phan, G.S. Chung. Appl. Surf. Sci., 257 (9), 4339 (2011)
- Y. Natsume, H. Sakata. J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, 12 (2), 87 (2001)
- Z. Li, Z. Hu, L. Jiang, H. Huang, F. Liu, X. Zhang, Y. Wang, P. Yin, L. Guo. Mater. Lett., 79, 209 (2012)
- M. Suchea, S. Christoulakis, C. Tibeica, M. Katharakis, N. Kornilios, T. Efthimiopoulos, E. Koudoumas. Appl. Surf. Sci., 254 (17), 5475 (2008)
- В.Б. Залесский, Т.Р. Леонова, О.В. Гончарова, И.А. Викторов, В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая. Физика и химия твердого тела, 6 (1), 44 (2005)
- K.W. Kim, H.S. Son, N.J. Choi, J. Kim, S.N. Lee. Thin Sol. Films, 546, 114 (2013)
- B. Zhang, B. Yao, S. Wang, Y. Li, C. Shan, J. Zhang, B. Li, Z. Zhang, D. Shen. J. Alloys Comp., 503 (1), 155 (2010).
- А.И. Кузьмичев. Магнетронные распылительные системы (М., Изд-во Аверс, 2008)
- D. Manova, J.W. Gerlach, S. Mandl. Materials, 3 (8), 4109 (2010)
- J.R.R. Bortoleto, M. Chaves, A.M. Rosa, E.P. da Silva, S.F. Durrant, L.D. Trino, P.N. Lisboa-Filho. Appl. Surf. Sci., 334, 210 (2015)
- В.М. Нарцев, М.С. Агеева, Д.С. Прохоренков, С.В. Зайцев, С.В. Карацупа, В.С. Ващилин. Вестн. БГТУ им. В.Г. Шухова, 6, 168 (2013)
- С.В. Зайцев, В.М. Нарцев, В.С. Ващилин, Д.С. Прохоренков, Е.И. Евтушенко. Российские нанотехнологии, 11 (5-6), 18 (2016)
- C.W. Hsu, T.C. Cheng, C.H. Yang, Y.L. Shen, J.S. Wu, S.Y. Wu. J. Alloys Comp., 509 (5), 1774 (2011)
- Y.Y. Kim, S.W. Kang, B.H. Kong, H.K. Cho. Physica B: Condens. Matter, 401, 408 (2007)
- A. Purohit, S. Chander, A. Sharma, S.P. Nehra, M.S. Dhaka. Optical Mater., 49, 51 (2015)
- G.A. Kumar, M.R. Reddy, K.N. Reddy. J. Physics: Conf. Ser., 365 (1), 012031 (2012). http://iopscience.iop.org/ article/10.1088/1742-6596/365/1/012031/meta
- Z.B. Fang, Z.J. Yan, Y.S. Tan, X.Q. Liu, Y.Y. Wang. Appl. Surf. Sci., 241 (3--4), 303 (2005)
- S.U. Lee, B. Hong, J.H. Boo. Funct. Mater. Lett., 3 (02), 119 (2010)
- A.L. Mercado, C.E. Allmond, J.G. Hoekstra, J.M. Fitz-Gerald. Appl. Phys. A, 81 (3), 591 (2005)
- G.P. Daniel, V.B. Justinvictor, P.B. Nair, K. Joy, P. Koshy, P.V. Thomas. Physica B: Condens. Matter, 405 (7), 1782 (2010)
- O. Lupan, T. Pauporte, L. Chow, B. Viana, F. Pelle, L.K. Ono, B.R. Cuenya, H. Heinrich. Appl. Surf. Sci., 256 (6), 1895 (2010)
- E.N. Cho, S. Park, I. Yun. Current Appl. Phys., 12 (6), 1606 (2012)
- M.F. Malek, M.H. Mamat, M.Z. Musa, Z. Khusaimi, M.Z. Sahdan, A.B. Suriani, A. Ishak, I. Saurdi, S.A. Rahman, M. Rusop. J. Alloys Comp., 610, 575 (2014).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.