Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе
Переводная версия: 10.1134/S106378261905004X 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
Обсуждаются две различные схемы оценок электронного сродства политипов SiC и их связь с результатами расчетов из первых принципов. Предложены простые поправки к правилам Шокли-Андерсона для построения зонных диаграмм гетеропереходов.
- Silicon Carbide: recent major advances, ed. by W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (Berlin-Heidelberg, Springer, 2004). E-address: http://www.springer.de
- Advances in Silicon Carbide. Processing and Applications, ed. by S.E. Saddow, A. Agarwal (Boston-London, Artech House, 2004). E-address: www.artechhouse.com
- A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
- H. Hibino, H. Kagoshima, M. Nagase. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 374005 (2010)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- A. Fissel. Phys. Reports, 379, 149 (2003)
- W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnong, S.N. Rashkeev, B. Segall. Phys. Status Solidi B, 202, 5 (1997)
- F. Bechstedt, P. Kackell, A. Zywietz, K. Karch, B. Adolph, K. Tenelsen, J. Furthmuller. Phys. Status Solid B, 202, 35 (1997)
- G. Wellenhofer, U. Rossler. Phys. Status Solidi B, 202, 107 (1997)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein. Properties of advanced semiconductor matterials. GaN, AlN, InN, BN, SiC (N.Y., Wiley, 2001)
- E.T. Yu, J.O. McCaldin, T.S. McGill. Sol. St. Phys., 46, 1 (1992)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39, 1440 (2005)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 41, 718 (2007)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- V.N. Brudny, A.V. Kosobutsky. Superlat. Microstruct., 111, 499 (2017)
- J. Kuriplach, M. Sob, G. Brauer, W. Anwand, E.-M. Nicht, P.G. Coleman, N. Wagner. Phys. Rev. B, 59, 1948 (1999)
- M. Wiets, M. Weinelt, T. Fauster. Phys. Rev. B, 68, 125321 (2003)
- W. van Haeringen, P.A. Bobbert, W.H. Backes. Phys. Status Solidi B, 202, 63 (1997)
- Y. Matsushita, S. Furuya, A. Oshiyama. J. Phys. Soc. Jpn, 83, 094713 (2014)
- A. Arvanitopoulos, N. Lophitis, S. Perkins, K.N. Gyftrakis, G. Belanche, M. Guadas, M. Antoniou. IEEE Int. Symp. on Diagnostics for Electric Machines, Power Electronics and Drives (2017). E-address: http://dx.doi.org/10.1109/DEMPED.2017.8062411
- N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 08PC06 (2016)
- M. Rejhon, J. Franc, V. Dedic, P. Hlidek, J. Kunc. arXiv: 1712.02563
- Y. Matsushita, S. Furuya, A. Oshiyama. Phys. Rev. Lett., 108, 246404 (2012)
- Y. Sugihara, K. Uchida, A. Oshiyama. J. Phys. Soc. Jpn, 84, 084709 (2015)
- С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013). twirpx.com/file/1596114/
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49, 1508 (2007)
- C. Persson, U. Lindefelt. Mater. Sci. Forum, 264--268, 275 (1998)
- С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 48, 49 (2014)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
- C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A, 2, 17971 (2014)
- И.В. Антонова. ФТП, 50, 67 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
