Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об оценках электронного сродства политипов карбида кремния и разрывов зон в гетеропереходах на их основе

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47568.8995

Переводная версия: 10.1134/S106378261905004X

Давыдов С.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei_Davydov@mail.ru

Поступила в редакцию: 8 октября 2018 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

PDF версия

Обсуждаются две различные схемы оценок электронного сродства политипов SiC и их связь с результатами расчетов из первых принципов. Предложены простые поправки к правилам Шокли-Андерсона для построения зонных диаграмм гетеропереходов.

Silicon Carbide: recent major advances, ed. by W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (Berlin-Heidelberg, Springer, 2004). E-address: http://www.springer.de
Advances in Silicon Carbide. Processing and Applications, ed. by S.E. Saddow, A. Agarwal (Boston-London, Artech House, 2004). E-address: www.artechhouse.com
A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
H. Hibino, H. Kagoshima, M. Nagase. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 374005 (2010)
Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
A. Fissel. Phys. Reports, 379, 149 (2003)
W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnong, S.N. Rashkeev, B. Segall. Phys. Status Solidi B, 202, 5 (1997)
F. Bechstedt, P. Kackell, A. Zywietz, K. Karch, B. Adolph, K. Tenelsen, J. Furthmuller. Phys. Status Solid B, 202, 35 (1997)
G. Wellenhofer, U. Rossler. Phys. Status Solidi B, 202, 107 (1997)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein. Properties of advanced semiconductor matterials. GaN, AlN, InN, BN, SiC (N.Y., Wiley, 2001)
E.T. Yu, J.O. McCaldin, T.S. McGill. Sol. St. Phys., 46, 1 (1992)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39, 1440 (2005)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 41, 718 (2007)
Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
V.N. Brudny, A.V. Kosobutsky. Superlat. Microstruct., 111, 499 (2017)
J. Kuriplach, M. Sob, G. Brauer, W. Anwand, E.-M. Nicht, P.G. Coleman, N. Wagner. Phys. Rev. B, 59, 1948 (1999)
M. Wiets, M. Weinelt, T. Fauster. Phys. Rev. B, 68, 125321 (2003)
W. van Haeringen, P.A. Bobbert, W.H. Backes. Phys. Status Solidi B, 202, 63 (1997)
Y. Matsushita, S. Furuya, A. Oshiyama. J. Phys. Soc. Jpn, 83, 094713 (2014)
A. Arvanitopoulos, N. Lophitis, S. Perkins, K.N. Gyftrakis, G. Belanche, M. Guadas, M. Antoniou. IEEE Int. Symp. on Diagnostics for Electric Machines, Power Electronics and Drives (2017). E-address: http://dx.doi.org/10.1109/DEMPED.2017.8062411
N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 08PC06 (2016)
M. Rejhon, J. Franc, V. Dedic, P. Hlidek, J. Kunc. arXiv: 1712.02563
Y. Matsushita, S. Furuya, A. Oshiyama. Phys. Rev. Lett., 108, 246404 (2012)
Y. Sugihara, K. Uchida, A. Oshiyama. J. Phys. Soc. Jpn, 84, 084709 (2015)
С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013). twirpx.com/file/1596114/
С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49, 1508 (2007)
C. Persson, U. Lindefelt. Mater. Sci. Forum, 264--268, 275 (1998)
С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 48, 49 (2014)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A, 2, 17971 (2014)
И.В. Антонова. ФТП, 50, 67 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель