Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070182 
Поступила в редакцию: 20 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Представлены данные по зависимости скорости роста слоев Si, осаждаемых гидридным методом на Ge(111), от их толщины на начальной стадии гетероэпитаксии. Показано влияние подложки Ge в пределах 10 наращиваемых кремниевых монослоев на скорость роста пленки Si. На основании полученных данных проведен расчет кинетических коэффициентов, ответственных за скорости протекания основных физико-химических процессов, связанных с взаимодействием молекулярных пучков гидридов с ростовой поверхностью. Анализ вероятности захвата и скоростей пиролиза адсорбируемых молекул гидрида Si (Ge) на чистых поверхностях Ge (Si) показал зависимость их поведения от толщины наращиваемого слоя. Из сопоставления полученных при росте слоя Si на Ge результатов обнаружено, что чистая поверхность германия по отношению к молекулам силана обладает более высокими адсорбционной и каталитической способностями, чем чистая поверхность Si. По отношению к молекулам гидридов Ge более высокими адсорбционными и каталитическими характеристиками обладает чистая поверхность ненапряженного кремния. Ключевые слова: кремний, германий, гетероэпитаксия, начальная стадия роста, поверхность, гидриды, пиролиз, кинетика распада.
- D.J. Smith, D. Chandrasekhar, S.A. Chaparro, P.A. Crozier, J. Drucker, M. Floyd, M.R. Mc Cartney, Y. Zhang. J. Cryst. Growth, 259, 232 (2003)
- A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Leitao, N.A. Sobolev. Phys. Status Solidi C, 4, 262 (2007)
- P.M.J. Maree, K. Nakagawa, F.M. Mulders, J.F. Van der Veen, K.L. Kavanagh. Surf. Sci., 191, 305 (1987)
- H. Kawabata, H. Ueba, S. Tatsuyama. J. Appl. Phys., 66, 634 (1989)
- D.D. Koleske, S.M. Gates. J. Appl. Phys., 76, 1615 (1994)
- B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett., 59, 3574 (1991)
- S.M. Gates, D.D. Koleske, J.R. Heath, M. Copel. Appl. Phys. Lett., 62, 510 (1993)
- D.S. Lin, T. Miller, T.C. Chiang. Phys. Rev. B, 47, 6543 (1993)
- A. Sakai, T. Tatsumi. Appl. Phys. Lett., 64, 52 (1994)
- Y. Suda, N. Hosoya, D. Shiratori. J. Cryst. Growth, 237--239, 1404 (2002)
- J.M. Hartmann, F. Gonzatti, F. Fillot, T. Billon. J. Cryst. Growth, 310, 62 (2008)
- J.M. Hartmann, F. Bertin, G. Rolland, M.N. Semeria, G. Bremond. Thin Sol. Films, 479, 113 (2005)
- S. Kobayashi, N. Mikoshiba, T. Matsuura, M. Sakuraba, J. Murota. J. Cryst. Growth, 174, 686 (1997)
- M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L.H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H.P. Strunk, C. Clerc. J. Appl. Phys., 97, 064907 (2005)
- О.А. Кузнецов, Л.К. Орлов, Н.Г. Калугин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.И. Вдовин, М.Г. Мильвидский. ФТТ, 36, 726 (1994) [Phys. Solid State, 36 (3), 398 (1994)]
- V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, O.P. Pchelyakov. J. Nanoelectronics \& Optoelectronics, 10, 99 (2015)
- W.C. Tsai, C.Y. Chang, T.G. Jung, T.S. Liou, G.W. Huang, T.C. Chang, L.P. Chen, H.C. Lin. Appl. Phys. Lett., 67, 1092 (1995)
- F. Boscherini, G. Capellini, L. Di Gaspare, M. De Seta, F. Rosei, A. Sgarlata, N. Motta, S. Mobilio. Thin Sol. Films, 380, 173 (2000)
- J.L. Regolini, D. Bensahel, J. Mercier, E. Scheid. J. Cryst. Growth, 96, 505 (1989)
- P.M. Garone, J.C. Sturm, P.W. Schwartz. Appl. Phys. Lett., 56, 1275 (1990)
- T.I. Kamins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997)
- H. Kim, J.E. Greene. Surf. Sci., 504, 108 (2002)
- J.M. Hartmann, A.M. Papon, V. Destefanis, T. Billon. J. Cryst. Growth, 310, 5287 (2008)
- D.W. Greve. Mater. Sci. Engin. B, 18, 22 (1993)
- Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83, 1975 (2013) [Russian J. General Chem., 83 (12), 1975 (2013)]
- S.M. Gates, S.K. Kulkarni. Appl. Phys. Lett., 58, 2963 (1991)
- Z. Jing, J.L. Whitten. Phys.Rev. B, 44, 1741 (1991)
- Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ЖОХ, 85, 1951 (2015) [Russian J. General Chem., 85 (12), 2686 (2015)]
- Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ФТП, 45, 566 (2011) [Semiconductors, 45 (4), 557 (2011)]
- R.Q.M. Ng, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 130, 114702 (2009)
- J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164713 (2007)
- Н.Л. Ивина, Л.К. Орлов. ФТП, 48, 852 (2014) [Semiconductors, 48 (6), 828 (2014)]
- Л.К. Орлов, С.В. Ивин. Хим. физика, 35 (3), 36 (2016) [Russian J. Phys. Chem. B, 10 (2), 219 (2016)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
