Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A^IIIN/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47882.9084

Переводная версия: 10.1134/S1063782619070224

Середин П.В.^1,2, Леньшин А.С.¹, Золотухин Д.С.¹, Голощапов Д.Л.¹, Мизеров А.М.³, Арсентьев И.Н.⁴, Бельтюков А.Н.⁵

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

²Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁵Удмурдский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия Udmurt Federal Research Center, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Izhevsk, Russia

Udmurt Federal Research Center, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Izhevsk, Russia

Email: paul@phys.vsu.ru

Поступила в редакцию: 12 февраля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано влияние использования переходного нанопористого подслоя кремния por-Si на морфологические, физические и структурные свойства наноколончатых структур In_xGa_1-xN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на монокристаллических Si(111) подложках. Комплексом структурно-спектроскопических методов анализа изучено электронное строение выращенных гетероструктур, морфология и оптические свойства, а также установлены взаимосвязи между ними. Показано, что использование подслоя por-Si позволяет получить более однородное распределение диаметров наноколонн In_xGa_1-xN, равно как увеличить интенсивность фотолюминесценции последних. Ключевые слова: нитрид галлия, кремниевая технология, фотолюминесценция, нуклеация, плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия.

U.K. Mishra, L. Shen, T.E. Kazior, Y.F. Wu. IEEE Proc., 96, 287 (2008)
M. Shatalov, W. Sun, R. Jain, A. Lunev, X. Hu, A. Dobrinsky, Y. Bilenko, J. Yang, G.A. Garrett, L.E. Rodak. Semicond. Sci. Technol., 29, 084007 (2014)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci., 17, 1 (2008)
P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, D.S Zolotukhin. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures., 104, 101 (2018)
P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, D.S. Zolotukhin, M.A. Kondrashin, A.S. Lenshin, Y.Y. Khudyakov, A.M. Mizerov, I.N. Arsentyev, A.N. Beltiukov, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 52, 1653 (2018)
P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Physica B, 495, 54 (2016)
P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Proc. Mater. Sci. Semicond., 39, 551 (2015)
E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, V.A. Terekhov, S.Y. Turishchev, I.N. Arsentyev, V.P. Ulin. Mater. Sci. Engin. B, 147, 144 (2008)
A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.N. Tsipenyuk, E.P. Domashevskaya. Techn. Phys., 59, 224 (2014)
D.A. Shirley. Phys. Rev. B, 5, 4709 (1972)
NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) Database. https://srdata.nist.gov/xps/
K.P. O'Donnel, J.F.W. Mosselmans, R.W. Martin, S. Pereira, M.E. White. J. Phys.: Condens. Mater., 13, 6977 (2001)
Z.L. Fang, Q.F. Li, X.Y. Shen, J.F. Cai, J.Y. Kang, W.Z. Shen. J. Appl. Phys., 115, 043514 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель