Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090227 
Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.7443.2017/БЧ
Российский фонд фундаментальных исследований, мол_а, 18-32-00636
Сушков А.А.1, Павлов Д.А.1, Шенгуров В.Г.1, Денисов C.А.1, Чалков В.Ю.1, Байдусь Н.В.1, Рыков А.В.
1, Крюков Р.Н.
1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: sushkovartem@gmail.com, denisov@nifti.unn.ru, rikov@nifti.unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Сформирована и исследована GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/Ge-гетероструктура, выращенная на подложке Si/Al2O3(1102). Буферный слой Ge получен методом "горячей проволоки", а AIIIBV слои с помощью газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Для определения оптического качества AIIIBV слоев использована спектроскопия фотолюминесценции. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Элементный состав определен методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. В данной работе была показана возможность роста монокристаллического слоя GaAs на подложке Si/Al2O3 через AlAs/GaAs/AlAs/Ge-буферные слои. Ключевые слова: гетероэпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, подложка сапфира, слой GaAs, спектры фотолюминесценции.
- T. Creazzo, E. Marchena, S.B. Krasulick, P.K.L. Yu, D. Van Orden, J.Y. Spann, C.C. Blivin, L. He, H. Cai, J.M. Dallesasse, R.J. Stone, A. Mizzahi. Opt. Express, 21 (23), 28048 (2013)
- N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8 (8), 311 (2018)
- M.L. Seaford, D.H. Tomich, K.G. Eyink, L. Grazulis, K. Mahalingham, Z. Yang, W.I. Wang. J. Electron. Mater., 29 (7), 906 (2000)
- N.H. Karam, V. Haven, S.M. Vernon, F. Namavar, N. El-Masry, N. Haegel, M.M. Al-Jassim. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 198, 247 (1990)
- H. Lin, R. Lin, J. Chyi, C.M. Lee. IEEE Photon. Techn. Lett., 20 (19), 1621 (2008)
- V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
- V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, Yu.N. Buzynin, M.N. Drozdov, A.N. Buzynin, P.A. Yunin. Techn. Phys. Lett., 41 (1), 36 (2015)
- A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, N.V. Baidus, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, O.A. Soltanovich. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012014 (2018)
- C.K. Chia, J.R. Dong, D.Z. Chi, A. Sridhara, A.S.W. Wong, M. Suryana, G.K. Dalapati, S.J. Chua, S.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 92, 141905 (2008)
- A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, M.V. Ved, N.V. Baidus, A.V. Zdoroveyshchev, V.G. Shengurov, S.A. Denisov. J. Phys.: Conf. Ser., 1124, 022037 (2018)
- Yu.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Physics--Uspekhi, 51 (5), 437 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
