Вышедшие номера
Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090252
Умнягин Г.М.1, Дегтярев В.Е.1, Оболенский C.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Umnyagingm@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Проведено численное моделирование вольт-амперных характеристик структуры резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов тантала. В рамках исследования приводятся результаты проведения импульсного исследования структур с разной формой проводящего филамента, такой как усеченный конус с разным углом наклона образующей. Показано как форма и общий объем проводящего филамента сказываются на амплитуде тока и количестве импульсов, необходимом для полного процесса разрыва и восстановления филамента. Ключевые слова: резистивная память, нестехиометрический, численное моделирование.